Канбара Ясуо
Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії
Номер патенту: 82180
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Сешпутовскі Лешек П., Двілінскі Роберт, Гаршінскі Єжі, Дорадзінскі Роман, Канбара Ясуо
МПК: C30B 9/00, C30B 25/18, C30B 29/38 ...
Мітки: об'ємний, епітаксії, галію, основа, монокристал, нітриду, варіанти
Формула / Реферат:
1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...
Процес та апарат для одержання об’ємного монокристала нітриду, що містить галій
Номер патенту: 78705
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Дорадзінскі Роман Марек, Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Канбара Ясуо, Двілінскі Роберт Томаш, Гарчінскі Єжи
МПК: C30B 29/40, C30B 7/00, C30B 9/00 ...
Мітки: містить, монокристала, процес, нітриду, апарат, галій, одержання, об`ємного
Формула / Реферат:
1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...