C30B 25/18 — характеризуемое підкладкою

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Сешпутовскі Лешек П., Дорадзінскі Роман, Двілінскі Роберт, Канбара Ясуо, Гаршінскі Єжі

МПК: C30B 29/38, C30B 25/18, C30B 9/00 ...

Мітки: нітриду, об'ємний, варіанти, епітаксії, основа, монокристал, галію

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Номер патенту: 18236

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Матеїк Галина Дмитрівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: C30B 25/18

Мітки: орієнтованих, слюди, спосіб, нанокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів АIV ВIV на слюді методом газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що як підкладки використовують сколи (0001) слюди-мусковіту, на яких ростуть орієнтовані площинами {111} нанокристалічні тетраедри.

Номер патенту: 18235

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 25/18

Мітки: орієнтованих, отримання, нанокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що використовують монокристалічні підкладки із заданою кристалографічною площиною (h, k, l), де h, k, l - індекси Міллера кристалографічних площин...