Сешпутовскі Лешек П.
Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії
Номер патенту: 82180
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Канбара Ясуо, Двілінскі Роберт, Сешпутовскі Лешек П., Дорадзінскі Роман, Гаршінскі Єжі
МПК: C30B 9/00, C30B 25/18, C30B 29/38 ...
Мітки: епітаксії, нітриду, галію, монокристал, основа, варіанти, об'ємний
Формула / Реферат:
1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...