C30B 29/38 — нітриди
Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію
Номер патенту: 90239
Опубліковано: 12.04.2010
Автори: Ніжанковський Сергій Вікторович, Калтаєв Халіл Шамсаддин-огли, Ром Михайло Аронович, Сидельникова Наталя Степанівна, Данько Олександр Яковлевич
МПК: C30B 25/00, C01B 21/072, C01F 7/00 ...
Мітки: одержання, нітриду, плівки, спосіб, кристалічної, алюмінію
Формула / Реферат:
Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію шляхом нітридизації сапфіра, що включає відпал в присутності вуглецю сапфірової підкладки орієнтацією (11-20) в середовищі, що містить азот і СО, загальним тиском 1 атм в графітовій печі, який відрізняється тим, що відпал проводять у вказаній атмосфері зі вмістом СО 0,001-0,1 об. % при температурі 1300-1450 °С протягом 2-10 годин.
Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії
Номер патенту: 82180
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Канбара Ясуо, Сешпутовскі Лешек П., Гаршінскі Єжі, Дорадзінскі Роман, Двілінскі Роберт
МПК: C30B 29/38, C30B 9/00, C30B 25/18 ...
Мітки: нітриду, основа, варіанти, монокристал, галію, епітаксії, об'ємний
Формула / Реферат:
1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...