Патенти з міткою «монокристал»
Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку
Номер патенту: 105335
Опубліковано: 25.04.2014
Автори: Якубовська Ганна Георгіївна, Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Дубовік Олександр Михайлович
МПК: C30B 29/32, C30B 15/00, C30B 29/10 ...
Мітки: сцинтиляційний, монокристал, основі, вольфрамату, цинку
Формула / Реферат:
Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.
Пристрій та спосіб одержання монокристалів сапфіру, пластина, пластинка та монокристал сапфіру, орієнтований в с-площині
Номер патенту: 96952
Опубліковано: 26.12.2011
Автори: Пранаді Фері, Лочер Джон В., Татартченко Віталі, Джонс Крістофер Д., Занелла Стівен А.
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Мітки: пластина, пристрій, спосіб, с-площині, сапфіру, орієнтований, одержання, пластинка, монокристал, монокристалів
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів сапфіру, орієнтованих в С-площині, який містить: джерело розплаву,перший нагрівач, сконструйований і розміщений таким чином, щоб нагрівати джерело розплаву,фільєру, суміжну з джерелом розплаву;першу зону, яка забезпечує перший температурний градієнт і яка розміщена суміжно з отвором фільєри, ідругу зону, яка забезпечує другий температурний градієнт і яка розміщена...
Монокристал сапфіру та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 89491
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Лочер Джон Волтер, Маклін Ральф Лемпсон, мол., Бейтс Херберт Еллсворт, Занелла Стівен Ентоні
МПК: C30B 29/20, C30B 35/00, C30B 15/34 ...
Мітки: сапфіру, монокристал, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Монокристал сапфіру, який відрізняється тим, що являє собою монокристалічну пластину в стані після вирощування, довжина, ширина і товщина якої є між собою в такому співвідношенні: довжина > ширини > товщини, причому ширина є не менше, ніж приблизно 25 см, товщина є не менше, ніж 0,5 см, і варіація товщини не перевищує 0,2 см.2. Монокристал за п. 1, який відрізняється тим, що товщина є не менше, ніж приблизно 0,6 см.3....
Монокристал твердого розчину cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах
Номер патенту: 39078
Опубліковано: 10.02.2009
Автори: Стасюк Юрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович
МПК: G01N 27/333
Мітки: матеріал, cu7(si0,7ge0,3)s5i, мембрани, твердого, розчину, монокристал, визначення, електрода, іоноселективного, купруму, розчинах, кислих
Формула / Реферат:
Монокристал твердого розчину Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.
Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії
Номер патенту: 82180
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Канбара Ясуо, Сешпутовскі Лешек П., Дорадзінскі Роман, Двілінскі Роберт, Гаршінскі Єжі
МПК: C30B 29/38, C30B 9/00, C30B 25/18 ...
Мітки: варіанти, об'ємний, монокристал, епітаксії, галію, основа, нітриду
Формула / Реферат:
1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...