H01L 21/318 — з нітридів

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/316, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: спосіб, меза-діодів, кремнієвих, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Номер патенту: 1564

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Дубина Віктор Григорович, Карплюк Олександр Іванович, Богданов Євген Іванович, Живов Михайло Давидович

МПК: H01L 21/318

Мітки: кремнію-нітрід, спосіб, виготовлення, структур, кремнію, кремній-двоокис

Формула / Реферат:

Способ получения структур кремний - дву­окись кремния - нитрид кремния, включающий осаждение на структуры кремний-двуокись кремния пленки нитрида кремния из парогазовой смеси тетрахлорида кремния, аммиака и инертного газа при пониженном давлении, отжиг структур после осаждения пленки нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения элек­трофизических параметров структур за счет увеличения уровней записи и стирания инфор­мации, отжиг...