Богданов Євген Іванович

Спосіб визначення розподілу домішок в об’ємі монокристала

Завантаження...

Номер патенту: 78213

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Богданов Сергій Євгенович, Мазанко Володимир Федорович, Низкова Ганна Іванівна, Богданов Євген Іванович, Храновська Катерина Миколаївна, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01N 23/20, G01N 13/00, G01N 23/00 ...

Мітки: монокристала, розподілу, домішок, спосіб, визначення, об'ємі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала, що включає опромінення монокристала випромінюванням, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі, який відрізняється тим, що опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають...

Пристрій для відмивання напівпровідникових пластин

Завантаження...

Номер патенту: 13252

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Богданов Євген Іванович, Репік Валерій Петрович, Живов Михайло Давидович

МПК: H01L 21/304

Мітки: відмивання, пластин, пристрій, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Устройство для отмывки полупроводниковых пластин, содержащее держатель пластины с вертикальной осью вращения, цилиндрический рабочий инструмент, установленный с возможностью вращения относительно оси, параллельной плоскости держателя, и средства подачи жидкости в зону обработки, отличающееся тем, что рабочий инструмент выполнен в виде трубок из упругого пористого полирующего материала, расположенных по образующим цилиндра.

Спосіб виготовлення кремнійових пластин

Завантаження...

Номер патенту: 3674

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Живов Михайло Давидович, Богданов Євген Іванович, Шурдук Борис Костянтинович, Кутовий Ігор Васильович

МПК: H01L 21/306

Мітки: виготовлення, пластин, кремнійових, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых пластин, включающий резку, двустороннюю шлифовку, травление в селективном кислотном травителе на глубину 0,4-0,8 диаметра зерна абразивного порошка, применяемого при шлифовке, и полировку рабочей поверхности пластин, отличающийся тем, что после травления на обе стороны кремниевых пластин наносят пленку поликремния толщиной 0,4-3 мкм, производят термообработку в диапазоне температур 900-1000°С в инертной среде в...

Клеюча речовина для кріплення напівпровідникових пластин при поліруванні

Завантаження...

Номер патенту: 1565

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Вялий Василь Якович, Живов Михайло Давидович, Іванчич Ольга Семенівна, Любак Руслан Володимирович, Богданов Євген Іванович

МПК: H01L 21/302

Мітки: пластин, напівпровідникових, кріплення, поліруванні, речовина, клеюча

Формула / Реферат:

Клеящий состав для крепления полупро­водниковых пластин при полировании, содер­жащий канифоль, церезин и двухромовокислый калий, отличающийся тем, что, с целью улуч­шения качества и повышения выхода годных пластин, он дополнительно содержит смесь трихлорэтилена с изопропанолом, взятых в массо­вом соотношении 70:30 при следующем соотно­шении компонентов, мас.ч.:канифоль                                                      ...

Спосіб виготовлення структур кремній-двоокис кремнію-нітрід кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 1564

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Живов Михайло Давидович, Карплюк Олександр Іванович, Богданов Євген Іванович, Дубина Віктор Григорович

МПК: H01L 21/318

Мітки: кремнію, структур, кремнію-нітрід, спосіб, виготовлення, кремній-двоокис

Формула / Реферат:

Способ получения структур кремний - дву­окись кремния - нитрид кремния, включающий осаждение на структуры кремний-двуокись кремния пленки нитрида кремния из парогазовой смеси тетрахлорида кремния, аммиака и инертного газа при пониженном давлении, отжиг структур после осаждения пленки нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения элек­трофизических параметров структур за счет увеличения уровней записи и стирания инфор­мации, отжиг...

Спосіб фінішної обробки напівпровідникових пластин

Завантаження...

Номер патенту: 1563

Опубліковано: 25.07.1994

Автори: Живов Михайло Давидович, Богданов Євген Іванович

МПК: H01L 21/302

Мітки: обробки, напівпровідникових, пластин, фінішної, спосіб

Формула / Реферат:

Способ финишной полировки полупро­водниковых пластин, включающий много­стадийную химико-механическую полировку полупроводниковых пластин на двух полироваль­никах с использованием водных абразивных сус­пензий, причем на первой стадии водородный показатель суспензий поддерживают от 11,5 до 12,4, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения качества полированной поверхности пластин, химико-ме­ханическую полировку на...