Богданов Євген Іванович
Спосіб визначення розподілу домішок в об’ємі монокристала
Номер патенту: 78213
Опубліковано: 11.03.2013
Автори: Богданов Сергій Євгенович, Мазанко Володимир Федорович, Низкова Ганна Іванівна, Богданов Євген Іванович, Храновська Катерина Миколаївна, Молодкін Вадим Борисович
МПК: G01N 23/20, G01N 13/00, G01N 23/00 ...
Мітки: монокристала, розподілу, домішок, спосіб, визначення, об'ємі
Формула / Реферат:
Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала, що включає опромінення монокристала випромінюванням, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі, який відрізняється тим, що опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають...
Пристрій для відмивання напівпровідникових пластин
Номер патенту: 13252
Опубліковано: 28.02.1997
Автори: Богданов Євген Іванович, Репік Валерій Петрович, Живов Михайло Давидович
МПК: H01L 21/304
Мітки: відмивання, пластин, пристрій, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Устройство для отмывки полупроводниковых пластин, содержащее держатель пластины с вертикальной осью вращения, цилиндрический рабочий инструмент, установленный с возможностью вращения относительно оси, параллельной плоскости держателя, и средства подачи жидкости в зону обработки, отличающееся тем, что рабочий инструмент выполнен в виде трубок из упругого пористого полирующего материала, расположенных по образующим цилиндра.
Спосіб виготовлення кремнійових пластин
Номер патенту: 3674
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Живов Михайло Давидович, Богданов Євген Іванович, Шурдук Борис Костянтинович, Кутовий Ігор Васильович
МПК: H01L 21/306
Мітки: виготовлення, пластин, кремнійових, спосіб
Формула / Реферат:
Способ изготовления кремниевых пластин, включающий резку, двустороннюю шлифовку, травление в селективном кислотном травителе на глубину 0,4-0,8 диаметра зерна абразивного порошка, применяемого при шлифовке, и полировку рабочей поверхности пластин, отличающийся тем, что после травления на обе стороны кремниевых пластин наносят пленку поликремния толщиной 0,4-3 мкм, производят термообработку в диапазоне температур 900-1000°С в инертной среде в...
Клеюча речовина для кріплення напівпровідникових пластин при поліруванні
Номер патенту: 1565
Опубліковано: 25.07.1994
Автори: Вялий Василь Якович, Живов Михайло Давидович, Іванчич Ольга Семенівна, Любак Руслан Володимирович, Богданов Євген Іванович
МПК: H01L 21/302
Мітки: пластин, напівпровідникових, кріплення, поліруванні, речовина, клеюча
Формула / Реферат:
Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании, содержащий канифоль, церезин и двухромовокислый калий, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и повышения выхода годных пластин, он дополнительно содержит смесь трихлорэтилена с изопропанолом, взятых в массовом соотношении 70:30 при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:канифоль ...
Спосіб виготовлення структур кремній-двоокис кремнію-нітрід кремнію
Номер патенту: 1564
Опубліковано: 25.07.1994
Автори: Живов Михайло Давидович, Карплюк Олександр Іванович, Богданов Євген Іванович, Дубина Віктор Григорович
МПК: H01L 21/318
Мітки: кремнію, структур, кремнію-нітрід, спосіб, виготовлення, кремній-двоокис
Формула / Реферат:
Способ получения структур кремний - двуокись кремния - нитрид кремния, включающий осаждение на структуры кремний-двуокись кремния пленки нитрида кремния из парогазовой смеси тетрахлорида кремния, аммиака и инертного газа при пониженном давлении, отжиг структур после осаждения пленки нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур за счет увеличения уровней записи и стирания информации, отжиг...
Спосіб фінішної обробки напівпровідникових пластин
Номер патенту: 1563
Опубліковано: 25.07.1994
Автори: Живов Михайло Давидович, Богданов Євген Іванович
МПК: H01L 21/302
Мітки: обробки, напівпровідникових, пластин, фінішної, спосіб
Формула / Реферат:
Способ финишной полировки полупроводниковых пластин, включающий многостадийную химико-механическую полировку полупроводниковых пластин на двух полировальниках с использованием водных абразивных суспензий, причем на первой стадии водородный показатель суспензий поддерживают от 11,5 до 12,4, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения качества полированной поверхности пластин, химико-механическую полировку на...