Патенти з міткою «кремній-двоокис»
Спосіб обробки структур кремній-двоокис кремнію
Номер патенту: 7561
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Тетяненко Микола Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Костильов Віталій Петрович, Громашевський Вячеслав Львович, Іваницький Олег Петрович, Горбань Анатолій Петрович
МПК: H01L 21/304
Мітки: обробки, кремній-двоокис, структур, кремнію, спосіб
Формула / Реферат:
Способ обработки структур кремний-двуокись кремния, включающий операцию изменения параметров дефектов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, энергоемкости процесса и повышения качества, изменение параметров дефектов производят путем возбуждения в структурах ультразвуковых колебаний с частотой 0,1 - 60 МГц, интенсивностью 0,5-7 Вт/см2 в течение 5-30 мин при температуре структуры не более 1000С.
Спосіб зменшення густини поверхневих станів межі розділу кремній-двоокис кремнію
Номер патенту: 7563
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Лісовський Ігор Петрович, Литвинов Ренальд Олімпійович, Литовченко Володимир Григорович
МПК: H01L 21/265
Мітки: кремнію, розділу, станів, густини, спосіб, зменшення, кремній-двоокис, межі, поверхневих
Спосіб виготовлення структур кремній-двоокис кремнію-нітрід кремнію
Номер патенту: 1564
Опубліковано: 25.07.1994
Автори: Живов Михайло Давидович, Дубина Віктор Григорович, Богданов Євген Іванович, Карплюк Олександр Іванович
МПК: H01L 21/318
Мітки: спосіб, кремнію, кремнію-нітрід, структур, виготовлення, кремній-двоокис
Формула / Реферат:
Способ получения структур кремний - двуокись кремния - нитрид кремния, включающий осаждение на структуры кремний-двуокись кремния пленки нитрида кремния из парогазовой смеси тетрахлорида кремния, аммиака и инертного газа при пониженном давлении, отжиг структур после осаждения пленки нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур за счет увеличения уровней записи и стирания информации, отжиг...