H01L 21/31 — з метою утворення діелектричних шарів на напівпровідниках, наприклад для маскування або з використанням фотолітографії технології

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Святослав Володимирович, Котик Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/3065, H01L 21/31, H01L 21/316 ...

Мітки: ізоляції, формування, великих, інтегральних, схем, структур, плазмового, міжшарової, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Шевченко Віктор Васильович, Боскін Олег Осипович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Філіпщук Олександр Миколайович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 29/93, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: діодів, змінною, спосіб, ємністю, високовольтних, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Самойлов Микола Олександрович, Фролов Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: охоронним, діодів, шотткі, кільцем, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Сєліверстов Ігор Анатолійович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/31, H01L 21/04 ...

Мітки: кремнієвих, діодів, кільцем, охоронним, шотткі, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фролов Костянтин Олександрович, Фролов Олександр Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/316, H01L 21/31 ...

Мітки: спосіб, кремнієвих, виготовлення, меза-діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Номер патенту: 84038

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Уочтел Пітер, Берчілл Г. Стюарт, Джр.

МПК: B32B 3/26, B32B 9/04, C08J 9/00 ...

Мітки: спосіб, композиція, утворення, підкладці, приготування, теплоізоляційного, шару

Формула / Реферат:

1. Отверджувана покривна композиція для утворення теплоізоляційного шару, причому вказана композиція містить:(a) частинки матеріалу з високим ступенем пористості, одержаногошляхом висушування вологого золь-гелю, при цьому частинки мають пористість щонайменше 80 %, а розмір частинок знаходиться в межах від 5 мкм до 4,0 мм; і(b) плівкоутворювальну полімерну систему, яка містить плівкоутворювальний полімер, причому частинки (а)...