H01L 31/036 — відрізняються кристалічною структурою або особливої ​​орієнтацією кристалографічних площин

Сонячна батарея

Завантаження...

Номер патенту: 56656

Опубліковано: 25.01.2011

Автор: Безносенко Ігор Валерійович

МПК: H01L 31/052, H01L 31/036

Мітки: сонячна, батарея

Формула / Реферат:

Сонячна батарея, яка складається з пласких сонячних елементів і пласких відбивачів сонячного випромінювання, які мають однакові геометричні розміри і розташовані під кутом до площини батареї та утворюють один з одним двогранний кут, яка відрізняється тим, що складається з фотоелектричних перетворювачів двох різних типів, розташованих під кутом 60° один до одного, на фотоелектричні перетворювачі одного типу нанесене світловідбиваюче покриття,...

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Шульга Юрій Григорович, Горбенко Юрій Васильович, Щербань Олексій Петрович, Ковтун Геннадій Прокопович, Власенко Тимур Вікторович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/00, H01L 31/036, H01L 31/0264 ...

Мітки: спосіб, галієвої, лігатури, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 3412

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Крапивко Геннадій Іванович

МПК: H01L 31/036, H01L 21/26

Мітки: поверхні, обробки, кремнію, спосіб, пластин, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.

Немонокристалічна кремнієва речовина

Завантаження...

Номер патенту: 66351

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Денг Ксунмінг, Йанг Чі-Чунг, Джоунс Скотт, Овшинські Стенфорд Р., Гуха Субхенду

МПК: H01L 31/04, H01L 31/036, H01L 31/0264 ...

Мітки: немонокристалічна, речовина, кремнієва

Формула / Реферат:

1. Немонокристалічна кремнієва речовина, яка відрізняється тим, що містить області речовини з проміжним порядком з розмірами кристалів від 10А до 50А, які складають щонайменше 8 об'ємних відсотків, але не містить більшого або рівного об'ємного відсотка, що призводить до утворення перколяційного каналу усередині речовини, причому решта речовини є речовиною або аморфною, або сумішшю аморфної і мікрокристалічної речовин.2....