Берінгов Сергій Борисович

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Черпак Юрій Володимирович, Хенриксен Бьорн Руне, Власенко Тимур Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Форвальд Карл

МПК: C30B 29/06, C01B 33/037

Мітки: виготовлення, фотогальванічних, кремнію, сонячних, виробництва, елементів, придатного, спосіб, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: B22D 11/041, B22D 11/01, C30B 29/06 ...

Мітки: використаний, ньому, індукційним, тигель, холодний, зливків, методом, мультикристалічного, одержання, пристрій, кремнію

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06, C23C 4/04 ...

Мітки: чохральського, методом, діаметра, злитка, підготовки, монокристалічного, тигля, спосіб, вирощування, великого

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00, C30B 29/06 ...

Мітки: мультикристалічних, спосіб, вирощування, кремнієвих, злитків

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 35/00

Мітки: кремнієвих, печі, злитків, мультикристалічних, вирощування, пристрій, завантаження

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Номер патенту: 67586

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C01B 33/021

Мітки: система, кремнію, методом, індукційним, виробництва, автоматизована, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...

Номер патенту: 97620

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Шкульков Анатолій Васільєвич, Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: F03G 6/00, C01B 33/00

Мітки: пристрій, зливків, методом, кремнію, мультикристалічного, одержання, індукційним

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, утворюючи плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і розташоване нижче...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Андрієнко Віктор Богданович, Берінгов Сергій Борисович, Лясковський Олександр Анатолійович, Власенко Тимур Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна, Яцюк Сергій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06

Мітки: кристалізації, направленої, методом, придатного, зливків, кремнію, виготовлення, сонячних, елементів, установка, вирощування

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Власенко Тимур Вікторович, Власюк Марина Сергіївна

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, C30B 15/02 ...

Мітки: сонячних, кремнію, спосіб, придатного, злитка, одержання, виготовлення, елементів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Номер патенту: 95674

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Тьощин Володимир Вікторович, Лясковський Олександр Анатолійович, Власенко Тімур Віктрович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, G01F 11/34, F27D 3/10 ...

Мітки: мультикристалічного, пристрій, легуючого, печі, безконтактного, кремнію, завантажку, введення, елемента, розплав, лігатури, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для безконтактного введення легуючого елемента та/або лігатури до печі вирощування мультикристалічного кремнію в завантажку та/або розплав, який відрізняється тим, що включає трубу для подачі легуючого елемента та/або лігатури, кульовий кран, трубоподібний накопичувальний бункер та заглушку, що з'єднані послідовно, в одній осі, з можливістю від'єднання трубоподібного накопичувального бункера в процесі експлуатації пристрою для...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Шифрук Олександр Сергійович, Тьощин Володимир Вікторович, Берінгов Сергій Борисович, Кравченко Олександр Володимирович

МПК: B05D 3/02, B05D 5/08, C30B 29/06 ...

Мітки: спосіб, підготовки, твердого, розплаву, зливка, кремнію, кварцового, тигля, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Онищенко Володимир Євгенович, Позігун Сергій Анатолійович, Шевчук Андрій Леонідович, Марченко Степан Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васільєвич

МПК: B22D 11/16, B22D 11/041, C30B 21/00 ...

Мітки: зливків, індукційним, мультикристалічного, спосіб, одержання, кремнію, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Черпак Юрій Володимирович, Марченко Степан Анатолійович, Позігун Сергій Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Онищенко Володимир Євгенович, Чепурний Богдан Васильович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/01

Мітки: одержання, кремнію, мультикристалічного, пристрій, методом, зливків, індукційним

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Марченко Степан Анатолійович, Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Берінгов Сергій Борисович, Онищенко Володимир Євгенович, Шевчук Андрій Леонідович

МПК: C30B 11/00, B22D 11/08, B22D 11/00 ...

Мітки: зливків, здійснення, пристрій, одержання, полікристалічного, кремнію, індукційним, методом, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: пластин, виготовлення, мультикристалічного, спосіб, кремнію, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/00

Мітки: сонячних, кремнієва, пластина, елементів

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: спосіб, пластин, кремнієвих, монокристалічних, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Кравченко Віктор Леонович, Куліковський Станіслав Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Єлісєєв Валерій Андрійович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06, C01B 33/00 ...

Мітки: одержання, сигналізації, протікання, індикацією, розплаву, пристрій, кремнію

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/10, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, кристалу, тиглі, розплаву, вирощування, утриманням

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/00, C30B 27/00, C30B 15/20 ...

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів, ліщука

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Номер патенту: 78899

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Дятел Максим Михайлович, Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем опору ділянки електричного кола затравка-розплав, який відрізняється тим, що опір контролюють при відсутності прямого механічного контакту між затравкою та розплавом, а за величиною цього опору  визначають відстань між затравкою та поверхнею розплаву.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опір контролюють при позитивній полярності напруги, прикладеної до...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Горбенко Юрій Васильович, Ковтун Геннадій Прокопович, Власенко Тимур Вікторович, Щербань Олексій Петрович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: H01L 31/0264, C30B 15/00, H01L 31/036 ...

Мітки: галієвої, спосіб, лігатури, кремнію, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Шифрук Олександр Сергійович, Коломоєць Сергій Дмитрович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06

Мітки: тигля, підготовки, методом, монокристалічного, чохральського, спосіб, вирощування, злитка

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Святелик Володимир Федосійович, Скобаро Андрій Олексійович, Шульга Юрій Григорович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/06, H01L 31/18 ...

Мітки: кремнію, сонячних, спосіб, елементів, одержання, мультикристалічного, пластин

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Повстяний Володимир Григорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: методом, кремнію, монокристалів, екрануючий, чохральського, пристрій, спосіб, нього, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Руденко Сергій Васильович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, монокристала, вирощування, спосіб, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06, H01L 21/304 ...

Мітки: спосіб, сонячних, одержання, мультикристалічного, елементів, кремнію, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: концентрацією, частини, заданою, виділення, спосіб, кремнію, зливка, монокристала, домішки, вирощеного, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Самохвалов Володимир Олександрович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20

Мітки: кремнію, монокристала, діаметра, спосіб, контролю, розплаву, вирощуваного

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Маковський Валерій Георгієвич, Шульга Юрій Григорович, Клевець Сергій Григорович, Повстяний Володимир Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: тигель, матеріалу, пристрій, завантаження, повторного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: обробки, вирощених, злитків, кремнію, монокристала, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: визначення, зони, кремнію, бездефектної, монокристала, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, порушенні, росту, монокристалів, кремнію, монокристалічного, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.