Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстур ування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С. (19) (21) 2004021333 (22) 24.02.2004 (24) 15.11.2004 (46) 15.11.2004, Бюл. № 11, 2004 р. (72) Крапивко Геннадій Іванович (73) ХЕРСОНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ (56) 3 3412 Спосіб реалізується наступним чином: шток 1, опускається до атомного контакту запалу с розплавом кремнію 2. При початку переходу з рідини до твердої фази вмикається система 3 для підняття шестикутника. При переході шестикутником зони дії лазера 4 вмикається система контролю діаметра, температури та текстур ування 5 зростаючого шестикутника основаного на тому ж лазері 4. Положення лазера вибрано таким чином, щоб температура шестикутника дорівнювала Т=1300°С.Температура прийнята згідно розрахунку. Експериментальні дослідження показують що завищена температура шестикутника веде до стікання кремнію, нижча до підвищення потужності лазера (переріз А-А). С уть способу полягає в тому, що нагрітий до 1400°С розплав кремнію вже має енергетичний потенціал потрібний для текстурування, при цьому замінений сам принцип підходу до даного процесу. Текстурування ведеться мало потужними лазерами. Фокусування і відображення від внутрішніх поверхонь забезпечують дзеркала 6, які встановлені за межами технологічного процесу. Кошторисні матеріали та екологічно небезпечні процеси прибрані з технологічних карт виробництва фотоелектричних перетворювачів. Текстурування може вестись по любому закону модуляції лазерного луча, що дає Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков 4 можливість одержати саміі складні форми поверхні включаючи усічені перевернені піраміди з відхиленням вісі від вертикалі. Текстурування ні в якому разі не впливає на основний процес, навіть спостерігається очищення від залишків домішки на атомному рівні. Таким чином, запропонований спосіб лазерного текстурування кристалу кремнія в виробництві фотоелектричних перетворювачів забезпечить при зниженні матеріальних, енергетичних та трудо вих ресурсів збільшення коефіцієнту корисної дії, зниження собівартості встановленої потужності сонячної батареї і дозволяє зробити висновок про відповідність критерію - корисна модель. Реалізація корисної моделі у напівпровідниковому виробництві забезпечить досягнення таких показників: Струм короткого замикання підвищиться до 33-34 мА/см 2 (АМ 1,5). Коефіцієнт корисної дії. може дорівнювати 1618% в модулі. Матеріальні витрати скоротяться на 20-25%. Трудові ви трати знизяться на 50%. Температурний режим поліпшиться, що дає змогу констатувати-термін гарантованої роботи сонячної установки може збільшитись на 5-7 років. Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601