Шульга Юрій Григорович

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Щербань Олексій Петрович, Ковтун Геннадій Прокопович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Горбенко Юрій Васильович, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C30B 15/00, H01L 31/036, H01L 31/0264 ...

Мітки: спосіб, галієвої, кремнію, одержання, лігатури

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Шифрук Олександр Сергійович, Куликовський Едуард Володимирович, Коломоєць Сергій Дмитрович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: вирощування, методом, монокристалічного, злитка, тигля, спосіб, підготовки, чохральського

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Святелик Володимир Федосійович, Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович, Шульга Юрій Григорович

МПК: H01L 21/02, H01L 31/18, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнію, мультикристалічного, сонячних, елементів, одержання, спосіб, пластин

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Повстяний Володимир Григорович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, екрануючий, методом, спосіб, монокристалів, пристрій, вирощування, нього, чохральського

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Руденко Сергій Васильович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристала, спосіб, розплаву, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Бакалець Ігор Павлович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: заданою, частини, кремнію, зливка, виділення, домішки, концентрацією, вуглецю, монокристала, вирощеного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Повстяний Володимир Григорович, Шульга Юрій Григорович, Клевець Сергій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Маковський Валерій Георгієвич, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: пристрій, тигель, завантаження, повторного, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристала, обробки, вирощених, кремнію, злитків, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, зони, бездефектної, монокристала, визначення, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: одержання, монокристалічного, порушенні, кремнію, монокристалів, спосіб, росту

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.