H01L 31/072 — потенційні бар’єри тільки типу бар’єрів з pn гетероструктурних переходом
Фотодіод на основі гетероструктури mooх/n-cdte
Номер патенту: 116033
Опубліковано: 10.05.2017
Автори: Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мостовий Андрій Ігорович
МПК: H01L 31/073, H01L 31/072, H01L 31/07 ...
Мітки: гетероструктурі, фотодіод, основі
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.