H01L 31/073 — що містять тільки напівпровідникові сполуки A
Спосіб отримання плівок zno:al на поруватих підкладках cdte
Номер патенту: 120280
Опубліковано: 25.10.2017
Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна
МПК: C23C 14/02, G02B 1/10, H01L 31/073 ...
Мітки: zno:al, поруватих, підкладках, спосіб, отримання, плівок
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання плівки ZnO:Al на поруватих підкладках CdTe, який відрізняється тим, що дану плівку отримують методом золь-гель з наступним центрифугуванням на поверхні поруватих зразків CdTe, отриманих методом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як легуючий реактив використовують хлорид алюмінію АlСl3∙6Н2О.
Фотодіод на основі гетероструктури mooх/n-cdte
Номер патенту: 116033
Опубліковано: 10.05.2017
Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович, Ульяницький Костянтин Сергійович
МПК: H01L 31/07, H01L 31/073, H01L 31/072 ...
Мітки: фотодіод, гетероструктурі, основі
Формула / Реферат:
Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.