Мостовий Андрій Ігорович

Номер патенту: 116079

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович, Мостовий Андрій Ігорович, Солован Михайло Миколайович, Ковалюк Тарас Тарасович

МПК: C23C 14/00, H01L 33/00

Мітки: плівки, одержання, спосіб, тонкої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонкої плівки Cu2ZnSnSe4, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu2ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.

Номер патенту: 116033

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Солован Михайло Миколайович, Мостовий Андрій Ігорович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 31/07, H01L 31/073, H01L 31/072 ...

Мітки: основі, фотодіод, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.

Номер патенту: 103918

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Ковалюк Тарас Тарасович, Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C23C 14/35, H01L 33/00

Мітки: czts, плівок, cu2znsns4, тонких, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.

Номер патенту: 92084

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, основі, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.