H01L 31/09 — прилади, чутливі до інфрачервоного, мабуть або ультрафіолетового випромінювання

Номер патенту: 121961

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Кузь Микола Андрійович, Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/09

Мітки: випромінювання, приймач

Формула / Реферат:

Приймач випромінювання, який містить дві термобатареї, розташовані на спільному тепловідводі, ввімкнені диференційно, резистори заміщення та діафрагму у вхідному вікні, який відрізняється тим, що резистором заміщення верхньої батареї є SMD резистор, а кількість анізотропних термоелементів m в батареї їх ширина с та чутливість приймача випромінювання S визначається якS=gDam/2кc,де g - інтегральний коефіцієнт поглинання...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/20, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: структур, поруватого, спосіб, фоточутлівих, основі, отримання, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Номер патенту: 109188

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Шимановський Олександр Бенедиктович, Бобренко Юрій Миколайович, Павелець Сергій Юрійович, Ярошенко Микола Володимирович

МПК: H01L 31/09, H01L 27/14, H01L 31/065 ...

Мітки: фотоперетворювач

Формула / Реферат:

Фотоперетворювач на основі поверхнево-бар'єрної структури, що складається із шару напівпровідникової фоточутливої підкладки n-типу провідності товщиною 5-7 мкм з концентрацією електронів 1016см-3 і прозорого шару із дигеніту-Cu1.8S р-типу провідності та омічних контактів до підкладки і прозорого шару, який відрізняється тим, що між підкладкою з концентрацією електронів 1016см-3 та прозорим шаром додатково нанесений варізонний шар...

Номер патенту: 97962

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/00, G01T 1/24, G01T 1/02 ...

Мітки: виміру, інтегральній, нейтронних, змішаних, доз, гамма, отриманих, полях, дозиметр

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покриту шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...