Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Парфенюк Орест Архипович, Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: C30B 29/00

Мітки: основі, матеріалу, спосіб, отримання, кристалічного, фотоперетворювачів, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: n-типу, напівпровідникового, одержання, цинку, спосіб, основі, селеніду, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційного, матеріалу, напівпровідникового, цинку, одержання, халькогенідів, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: сцинтиляційного, матеріалу, спосіб, активованого, напівпровідникового, цинку, одержання, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 37010

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Караваєва Наталія Леонідівна, Тарасенко Олег Анатолійович, Галунов Микола Захарович

МПК: G01T 1/00, G01T 3/00

Мітки: реєстрації, нейтронів, стильбену, органічного, швидких, виготовлення, сцинтилятору, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення органічного сцинтилятору на основі стильбену для реєстрації швидких нейтронів, що включає попередню очистку вихідної сировини за методом направленої кристалізації, механічне подрібнення очищеної сировини при низькій температурі, наступне введення відібраних часток стильбену з лінійним розміром 0,5-2,5 мм в імерсійне середовище, який відрізняється тим, що частки стильбену вказаних розмірів відбирають з подрібненої очищеної...