H01L 29/66 — типи напівпровідникових приладів

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму

Завантаження...

Номер патенту: 96833

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Тетяна Іванівна

МПК: H01L 21/00, H01L 29/417, B82Y 30/00 ...

Мітки: оксиду, вольфраму, сенсор, основі, газовий, наноструктурованого

Формула / Реферат:

Газовий сенсор на основі наноструктурованого оксиду вольфраму, що містить газочутливу плівку оксиду вольфраму, нанесену на підкладку, та електроди, який відрізняється тим, що використано нанорозмірну та наноструктуровану плівку оксиду вольфраму товщиною 20-100 нм і з середнім розміром зерен 30-150 нм, при цьому газовий сенсор працює при кімнатних температурах, а відгук сенсора на дію газу реєструють по вимірюванню поперечного...

Спосіб запису та зчитування інформації у резистивній пам’яті з довільним доступом

Завантаження...

Номер патенту: 38372

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Пермяков Віталій Васильович, Білоголовський Михайло Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: запису, довільним, пам'яті, доступом, зчитування, спосіб, інформації, резистивний

Формула / Реферат:

1. Спосіб запису та зчитування інформації в резистивній пам'яті з довільним доступом, який полягає в тому, що для запису та зчитування інформації на комірки-мемристори резистивної пам'яті подають електричні імпульси, який відрізняється тим, що на комірки резистивної пам'яті подають імпульси струму від джерела струму, а збережену в комірці пам'яті інформацію визначають по напрузі на мемристорі.2. Спосіб запису та зчитування інформації в...

Диференціальна оптопара та спосіб її виготовлення бобонича

Завантаження...

Номер патенту: 73704

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Бобонич Петро Петрович, Бобонич Ерік Петрович

МПК: H01L 31/16, H01L 31/101, H01L 29/66 ...

Мітки: спосіб, диференціальна, оптопара, бобонича, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Диференціальна оптопара, що складається з р-n-р-n структури і випромінювача, яка відрізняється тим, що випромінювач містить два світлодіоди, один із яких розташований на першому р-шарі р-n-р-n структури, а другий - на другому n-шарі       р-n-р-n структури. 2. Спосіб виготовлення диференціальної оптопари, що включає формування ...

Спосіб керування диференціальним фотоелементом (за ефектом бобонича п.п.)

Завантаження...

Номер патенту: 72109

Опубліковано: 11.02.2008

Автор: Бобонич Петро Петрович

МПК: H01L 29/66, H01L 31/101

Мітки: фотоелементом, спосіб, керування, бобонича, за, диференціальним, п.п, ефектом

Формула / Реферат:

Спосіб керування диференціальним фотоелементом, що складається зі структури р-n-р-n-типу, який відрізняється тим, що зміну знака фотоерс із "-" на "+" проводять шляхом дії на нього монохроматичним світлом, причому довжина хвилі монотонно змінюється в часі від ультрафіолетового світла до інфрачервоного.

Контакт в інтегральних пристроях зі структурами “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 29701

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: інтегральних, контакт, кремній-на-ізоляторі, пристроях, структурами

Формула / Реферат:

1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...

Винаходи категорії «типи напівпровідникових приладів» в СРСР.

Ключовий елемент на діодах шотткі зі структурами “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 29/66

Мітки: структурами, кремній-на-ізоляторі, ключовий, діодах, елемент, шотткі

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...

Диференціальна оптопара та спосіб її виготовлення (по ефекту бобонича)

Завантаження...

Номер патенту: 73704

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Бобонич Петро Петрович

МПК: H01L 29/66, H01L 31/101, H01L 31/16 ...

Мітки: виготовлення, по, спосіб, диференціальна, оптопара, бобонича, ефекту

Формула / Реферат:

1. Диференціальна оптопара, що складається з р-n-р-n структури і випромінювача, яка відрізняється тим, що випромінювач містить два світлодіоди, один із яких розташований на першому р-шарі р-n-р-n структури, а другий - на другому n-шарі       р-n-р-n структури. 2. Спосіб виготовлення диференціальної оптопари, що включає формування ...

Фотоваріатор бобонича

Завантаження...

Номер патенту: 73703

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Бобонич Петро Петрович, Бобонич Ерік Петрович

МПК: H01L 31/101, H01L 29/66, G02B 6/42 ...

Мітки: бобонича, фотоваріатор

Формула / Реферат:

1. Фотоваріатор, що складається із структури р-n-р-n-типу, кінці якої є анодом та катодом, що приєднані до р- та n-областей відповідно, який відрізняється тим, що він містить два світловоди, одні кінці яких знаходяться на р- та n-областях структури, а інші виведені назовні фотоваріатора.2. Фотоваріатор за п. 1, який відрізняється тим, що він заповнений герметичним компаундом.

Фототригер бобонича

Завантаження...

Номер патенту: 73702

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Бобонич Петро Петрович

МПК: G02B 6/42, H01L 31/101, H01L 29/66 ...

Мітки: фототригер, бобонича

Формула / Реферат:

1. Фототригер, що складається із двох оптичних випромінювачів, який відрізняється тим, що кожний із випромінювачів виконано у вигляді напівпровідникової структури р-n-р-n-типу, кінці випромінювачів є анодом та катодом, що приєднані до р- та n-областей відповідно, і він містить два світловоди, кінці яких знаходяться на р- та n-областях структури, а інші виведені назовні фототригера.2. Фототригер за п. 1, який відрізняється тим, що він...