Панова Олександра Миколаївна

Номер патенту: 27013

Опубліковано: 28.02.2000

Автори: Корсунова Софія Петрівна, Кудін Олександр Михайлович, Горілецький Валентин Іванович, Шахова Клавдія Вікторівна, Ковальова Людмила Василівна, Віноград Едуард Львович, Шпилінська Лариса Миколаївна, Мітічкін Анатолій Іванович, Проценко Володимир Григорович, Панова Олександра Миколаївна

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00

Мітки: матеріал, одержання, цезію, йодиду, спосіб, основі, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия, активированного таллием, и содержащий дополнительную примесь, отличающийся тем, что в качестве дополнительной примеси он содержитMex(CO2)y,где Me - катионная примесь;1≤X≤2;1≤Y≤5.2. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия по п.1, отличающийся тем, что в спектре поглощения он имеет полосу валентных колебаний связанного...

Номер патенту: 16737

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Шахова Клавдія Вікторівна, Ейдельман Лев Георгійович, Віноград Едуард Львович, Шпилинська Лариса Миколаівна, Панова Олександра Миколаївна

МПК: C30B 29/12

Мітки: сцинтиляційний, основі, матеріал, монокристалу

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный материал на основе мо­нокристалла 051, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрируемых излуче­ний температурного интервала, использования и повышения светового выхода монокристалла, ма­териал дополнительно содержит Сз^СОд при сле­дующем соотношении компонентов, мас.%: 052003 (1,6 • ІО'Ь - (8 - 10^), СA1 остальное.

Номер патенту: 16722

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Панова Олександра Миколаївна, Неменов Віктор Олександрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Мітки: одержання, лужногалоідних, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения щелочно-галоидных кри­сталлов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной ка­мере до заданной температуры, заполнение каме­ры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и удаления из камеры токсичных и агрессивных га­зов, заполнение камеры инертным газом ведут до давления 1-2атм, а перед выращиванием давление...