Проценко Володимир Григорович

Номер патенту: 27013

Опубліковано: 28.02.2000

Автори: Шпилінська Лариса Миколаївна, Мітічкін Анатолій Іванович, Шахова Клавдія Вікторівна, Корсунова Софія Петрівна, Кудін Олександр Михайлович, Ковальова Людмила Василівна, Панова Олександра Миколаївна, Горілецький Валентин Іванович, Проценко Володимир Григорович, Віноград Едуард Львович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00

Мітки: сцинтиляційний, йодиду, матеріал, спосіб, цезію, одержання, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия, активированного таллием, и содержащий дополнительную примесь, отличающийся тем, что в качестве дополнительной примеси он содержитMex(CO2)y,где Me - катионная примесь;1≤X≤2;1≤Y≤5.2. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия по п.1, отличающийся тем, что в спектре поглощения он имеет полосу валентных колебаний связанного...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Любинський Вадим Рувинович, Неменов Віктор Олександрович, Проценко Володимир Григорович, Радкевич Олексій Вікторович, Ейдельман Лев Георгійович

МПК: C30B 29/12, C30B 17/00

Мітки: активованих, вирощування, лужногалоідних, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Неменов Віктор Олександрович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Львович Валентин Анатолійович, Радкевич Олексій Вікторович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 16721

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Проценко Володимир Григорович, Ейдельман Лев Георгійович, Радкевич Олексій Вікторович, Любинський Вадим Рувимович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: витягування, пристрій, кристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней его части кольцевую емкость, имеющую общую с тиглем стенку с отверстием, питатель для подачи в емкость твердого измельченного материала, нагреватели тигля и емкости, отличающееcя тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов, устройство снабжено экраном, установленным над кольцевой емкостью с возможностью осевого перемещения и...