Кудь Ірина Володимирівна

Спосіб одержання дисиліцидів молібдену або вольфраму

Завантаження...

Номер патенту: 66907

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кудь Ірина Володимирівна, Єременко Людмила Іванівна, Лиходід Людмила Семенівна

МПК: C01G 41/00, C01G 39/00, C01B 33/06 ...

Мітки: молібдену, спосіб, вольфраму, дисиліцидів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання дисиліцидів молібдену або вольфраму, що включає змішування вихідних компонентів високої чистоти 99,98-99,99 мас.% одного із вказаних металів і кремнію, синтез у вакуумі та охолодження, який відрізняється тим, що вихідні компоненти беруть в стехіометричному співвідношенні 1:2, завантажують в реактор у вигляді брикетів, а синтез у вакуумі проводять ступінчасто шляхом нагрівання до температури 580-620 °С зі швидкістю 10-25...

Спосіб виготовлення мішеней з дисиліцидів перехідних металів

Завантаження...

Номер патенту: 11386

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Лиходід Людмила Семенівна, Дворіна Людмила Андріївна, Єрьоменко Людмила Іванівна, Ганієв Рев Вахізович, Кудь Ірина Володимирівна

МПК: C23C 14/32

Мітки: дисиліцидів, перехідних, металів, спосіб, мішеней, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления мишеней из дисиллицидов переходных металлов, преимущественно для ионно-плазменного распыления, включающий смешивание порошков исходных компонентов, хо­лодное прессование смеси и спекание-синтез, по­вторное измельчение продуктов синтеза и получение мишени путем прессования и спекания измельченных продуктов синтеза, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества мишеней за счет уменьшения пористости и содержания газо­вых...

Матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 11394

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Шпилевський Едуард Михайлович, Єрьоменко Людмила Іванівна, Ганієв Рев Вазіхович, Кудь Ірина Володимирівна, Волкова Ольга Олександрівна, Дворіна Людмила Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: матеріал, тонкоплівкових, виготовлення, резисторів

Формула / Реферат:

Материал для изготовления тонкопленочных резисторов, включающий кремний, хром, марга­нец, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область, исходные компоненты взя­ты в следующем количественном соотношении, мас.%:хром               35,0-43,4марганец        5,1-14,4кремний         остальное.

Резистивний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 11393

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Лиходід Людмила Семенівна, Кудь Ірина Володимирівна, Попов Валентин Іванович, Дворіна Людмила Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: резистивний, матеріал

Формула / Реферат:

Резистивный материал, включающий диси­лицид хрома и дисилицид тугоплавкого металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диа­пазона удельного сопротивления в высокоомной области, снижения температурного коэффициента сопротивления и повышения стабильности пара­метров, в качестве дисилицида тугоплавкого метал­ла он содержит дисилицид титана и дополнительно содержит кальций или барий при следующем коли­чественном соотношении компонентов...

Резистивний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 11392

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кудь Ірина Володимирівна, Дворіна Людмила Андріївна, Скрипка Олександр Іванович, Лиходід Людмила Семенівна, Попов Валентин Іванович, Курманалієв Тулінди Іманбетович, Сасов Анатолій Михайлович

МПК: H01C 7/00

Мітки: резистивний, матеріал

Формула / Реферат:

Резистивный материал, включающий диси­лицид тантала и дисилицид хрома, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления в высокоомной области и снижения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит кальций или барий при следующем количественном соотношении компо­нентов, вес.%:кальций или барий              1-5дисилицид тантала              3-19дисилицид хрома...