Кудь Ірина Володимирівна
Спосіб одержання дисиліцидів молібдену або вольфраму
Номер патенту: 66907
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Кудь Ірина Володимирівна, Єременко Людмила Іванівна, Лиходід Людмила Семенівна
МПК: C01G 41/00, C01G 39/00, C01B 33/06 ...
Мітки: молібдену, спосіб, вольфраму, дисиліцидів, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання дисиліцидів молібдену або вольфраму, що включає змішування вихідних компонентів високої чистоти 99,98-99,99 мас.% одного із вказаних металів і кремнію, синтез у вакуумі та охолодження, який відрізняється тим, що вихідні компоненти беруть в стехіометричному співвідношенні 1:2, завантажують в реактор у вигляді брикетів, а синтез у вакуумі проводять ступінчасто шляхом нагрівання до температури 580-620 °С зі швидкістю 10-25...
Спосіб виготовлення мішеней з дисиліцидів перехідних металів
Номер патенту: 11386
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Лиходід Людмила Семенівна, Дворіна Людмила Андріївна, Єрьоменко Людмила Іванівна, Ганієв Рев Вахізович, Кудь Ірина Володимирівна
МПК: C23C 14/32
Мітки: дисиліцидів, перехідних, металів, спосіб, мішеней, виготовлення
Формула / Реферат:
Способ изготовления мишеней из дисиллицидов переходных металлов, преимущественно для ионно-плазменного распыления, включающий смешивание порошков исходных компонентов, холодное прессование смеси и спекание-синтез, повторное измельчение продуктов синтеза и получение мишени путем прессования и спекания измельченных продуктов синтеза, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества мишеней за счет уменьшения пористости и содержания газовых...
Матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів
Номер патенту: 11394
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Шпилевський Едуард Михайлович, Єрьоменко Людмила Іванівна, Ганієв Рев Вазіхович, Кудь Ірина Володимирівна, Волкова Ольга Олександрівна, Дворіна Людмила Андріївна
МПК: H01C 7/00
Мітки: матеріал, тонкоплівкових, виготовлення, резисторів
Формула / Реферат:
Материал для изготовления тонкопленочных резисторов, включающий кремний, хром, марганец, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область, исходные компоненты взяты в следующем количественном соотношении, мас.%:хром 35,0-43,4марганец 5,1-14,4кремний остальное.
Резистивний матеріал
Номер патенту: 11393
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Лиходід Людмила Семенівна, Кудь Ірина Володимирівна, Попов Валентин Іванович, Дворіна Людмила Андріївна
МПК: H01C 7/00
Мітки: резистивний, матеріал
Формула / Реферат:
Резистивный материал, включающий дисилицид хрома и дисилицид тугоплавкого металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления в высокоомной области, снижения температурного коэффициента сопротивления и повышения стабильности параметров, в качестве дисилицида тугоплавкого металла он содержит дисилицид титана и дополнительно содержит кальций или барий при следующем количественном соотношении компонентов...
Резистивний матеріал
Номер патенту: 11392
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Кудь Ірина Володимирівна, Дворіна Людмила Андріївна, Скрипка Олександр Іванович, Лиходід Людмила Семенівна, Попов Валентин Іванович, Курманалієв Тулінди Іманбетович, Сасов Анатолій Михайлович
МПК: H01C 7/00
Мітки: резистивний, матеріал
Формула / Реферат:
Резистивный материал, включающий дисилицид тантала и дисилицид хрома, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления в высокоомной области и снижения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит кальций или барий при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%:кальций или барий 1-5дисилицид тантала 3-19дисилицид хрома...