Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Материал для изготовления тонкопленочных резисторов, включающий кремний, хром, марга­нец, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область, исходные компоненты взя­ты в следующем количественном соотношении, мас.%:

хром               35,0-43,4

марганец        5,1-14,4

кремний         остальное.

Текст

Изобретение относится к -электронной технике, в частности к материалам электронной техники, и может быть использовано в тонкопленочьой технологии при изготовлении тонкопленочных Изобретение относится к электронной технике, в частности к материалам электронной техники, и может быть ;испольяояано в тонкопленочной технологии при изготовлении тонкопленочНЫУ резисторов, интегральных схем и полупроводниковых приборов. Целью изобргтения является расширение диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область. РеяистирныГ' материал получают методом порошковой металпургии в процессе твердофазного, высокотемпературного взаимодействия порошковых гмеСШІ кремния, хрома и марганиа в вакуумной печи (давление в реакционной камере печи не допжчо превышать 3 х Па) при температуре 1100°С в течение h ч . резисторов, интегральных схем и Полупроводниковых приборов. Цепью изобретения является расширение диапазона значений удельного сопро І явления в пысокоомную область. Для этого в материале для изготовления •юнкопленочных резисторов, включающем мэемиии, хром, марганец, исходные кимпонен гы взяты в следующем колір.естгемном соотношении, м а е " : хром 35,043,4; марганец 5 , 1 - 1 ^ , 4 ; коемний остальное, в результате чего t .ромз. Замещение атомов хрома атомами марганца в решетке ді» силицид а хрома прчводит к изменению его элех'1 рпнного строения, что в свою очередь сопровождается изменением типа проводимос ти і* увеличением удельного э л е к т р о сопротивпе шч . Постоянство кр^стз"]лической структуры твердого рагтжгра 1681680 в широкой концентрационной области гарантирует высокую воспроизводимость параметров пленок независимо от метода напыления и от процесса к процессу, а также высокую температурновременную стабильность тонкопленочных резисторов (0,ї-0,2%). Составы реэистивного материала и характеристики изготовленных из них резисторов представлены в таблице. " Полученные данные представлены в таблице. Из приведенных данных следует,что предлагаемый материал позволяет получить высокоомные тонкопленочные резисторы в более широком диапазоне удельно поверхностных сопротивлений при сохранении низких значений ТКС, что дает возможность создания прецизионных высокоомных тонкопленочных резисторов. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Объемное удельное электросопротивление измеряли с помощью четырехзон- 15 Материал для изготовления тонкодового компенсационного метода на пленочных резисторов, включающий постоянном токе по ГОСТ 25947-83. кремний, хром, марганец, о т л и Толщину напыленных резистивных плеч а ю щ и й с я тем, что, с целью нок определяли на интерферометре расширения диапазона значений удельЛинника МИИ-4, Удельное поверхностного сопротивления в высокоомную обное сопротивление определяли по ГОСТ 20 ласть, исходные компоненты взяты в 21342.20-78. ТКС определяли по ГОСТ следующем количественном соотношении, 21342-15-78. Стабильность параметров мас.%: (уход сопротивления за 1000 ч работы Хром 35,0-43,4 при 125°С) определяли по ГОСТ 16962Марганец 5,1-14,4 25 -71. Кремний Остальное Характеристика тонкопленочных резисторов Состав резистивного материала, мас.% Хром Марганец Кремний 43,9 4,6 51,5 Удельное Толщина электро- пленки, сопротивнм ление, мкОм.см 43,4 5,1 51,5 9,2 51,1 41000 37,9 11,3 50,8 30000 35,0 14,4 50,6 20000 34,1 15,4 50,5 3000 35 60 10 40* 50 5 45 100 50 100 50 100 50 100 50 100 50 100 7300 39,7 v 50 4900 Прототип 15 Удельное поверхи. сопротивление , кОм/D 9,5 4,3 17,0 8,4 85,0 43,0 71,0 33,0 40,0 21,0 5,0 * 2,7 Темпера- Стабиль турный ность, коэф.соZ прет. , 10'6, град' 14,0 11,0 18,0 10,0 72,0 24,0 56,0 15,0 18,0 13,0 150,0 120,0 0,2 0,2 0,2 0,1 0,2 0,1 0,2 0,1 0,2 0,1 t,3 2,2 • 40 s 1 40 200 40 200 40 200 9,8 0,2 12,0 0,3 10,5 0,3 30,0 60,0 20,0 50,0 20,0 50,0 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 (SHlfSHO Редактор Т.Лошкарева Составитель Е.Ковалева Техред Л.Сердюкова Корректор Н.Ревская Заказ 3750/ДСП Тираж Подписное ВНИИШ1 Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР (13035, Москва, Ж-35, Раушская чаб., д, 4/5 Проиэводствеино-иэдатечьекии комбинат "Патент", г. Ужгород, ул» Гаг асича, 101

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Material for manufacturing thin-film resistors

Автори англійською

Dvoryna Liudmyla Andriivna, KUd Iryna Volodymyrivna, Yeriomenko Liudmyla Ivanivna, Volkova Olha Oleksandrivna, Haniiev Rev Vazokhovych, Shpylevskyi Eduard Mykhailovych

Назва патенту російською

Материал для изготовления тонокопленочных резисторов

Автори російською

Дворина Людмила Андреевна, Кудь Ирина Владимировна, Еременко Людмила Иванлвна, Волкова Ольга Александровна, Ганеев Рев Вазихович, Шпилевский Эдуард Михайлович

МПК / Мітки

МПК: H01C 7/00

Мітки: виготовлення, резисторів, матеріал, тонкоплівкових

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-11394-material-dlya-vigotovlennya-tonkoplivkovikh-rezistoriv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів</a>

Подібні патенти