Кузнецов Геннадій Васильович

Номер патенту: 100084

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Скришевський Валерій Антонович, Кузнецов Геннадій Васильович, Литвиненко Сергій Васильович, Манілов Антон Ігоревич

МПК: C01B 3/02

Мітки: пористого, композитів, спосіб, одержання, кремнію, водню

Формула / Реферат:

Спосіб одержання водню з кремнію, що включає проведення реакції хімічного виділення водню з пресованої композитної суміші порошку пористого кремнію та силікагелю шляхом ініціації безпосередньо в воді.

Номер патенту: 69853

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Третяк Олег Васильович, Кузнецов Геннадій Васильович, Скришевський Валерій Антонович, Тюрютиков Олександр Іванович, Кобленц Хаїм, Устилко Володимир Юхимович, Єгупов Сергій Іванович

МПК: G01F 1/68

Мітки: газу, витрат, потоку, спосіб, рідини, вимірювання, швидкості

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості та витрати потоку рідини або газу, який полягає в тому, що пропускають електричний струм через розміщений усередині відрізку трубопроводу термоелектричний датчик, вимірюють напругу на термоелектричному датчику і розраховують швидкість потоку та витрату рідини або газу за обмірюваним значенням напруги, який відрізняється тим, що джерело живлення термоелектричного датчика періодично короткочасно відключають і...

Номер патенту: 40483

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Жигун Віталій Якович, Устилко Володимир Юхимович, Скрищевський Валерій Антонович, Єгупов Сергій Іванович, Третяк Олег Васильович, Кузнецов Геннадій Васильович

МПК: G01F 1/68

Мітки: рідини, спосіб, вимірювання, газу, витрати, датчик, швидкості

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення швидкості та витрати рідини або газу, що полягає в тому, що пропускають електричний струм через розміщений усередині відрізка трубопроводу термоелектричний напівпровідниковий датчик, вимірюють напругу на термоелектричному напівпровідниковому датчику і розраховують швидкість потоку та витрати рідини або газу по виміряному значенню напруги, який відрізняється тим, що всередині відрізка труби розміщують захищений від дії...

Номер патенту: 40483

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Устилко Володимир Юхимович, Жигун Віталій Якович, Кузнецов Геннадій Васильович, Скрищевський Валерій Антонович, Єгупов Сергій Іванович, Третяк Олег Васильович

МПК: G01F 1/68

Мітки: витрат, рідини, газу, швидкості, вимірювання, спосіб, датчик

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення швидкості та витрати рідини або газу, що полягає в тому, що пропускають електричний струм через розміщений усередині відрізка трубопроводу термоелектричний напівпровідниковий датчик, вимірюють напругу на термоелектричному напівпровідниковому датчику і розраховують швидкість потоку та витрати рідини або газу по виміряному значенню напруги, який відрізняється тим, що всередині відрізка труби розміщують захищений від дії...

Номер патенту: 15113

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Кузнецов Геннадій Васильович, Вєтров Олексій Петрович

МПК: G01R 27/00

Мітки: спосіб, характеристики, вольт-амперної, особливостей, вимірювання, нелінійних, електронних, приладів

Формула / Реферат:

Способ измерения нелинейных особенностей вольт-амперной характеристики электронных приборов, включающий одновременную подачу на исследуемый объект регулируемого постоянного напряжения и слабого гармонического сигнала и регистрацию уровня выходного сигнала, отличающийся тем, что предварительно осуществляют амплитудную модуляцию входного гармонического сигнала, а уровень выходного сигнала регистрируют на частоте модуляции, при этом величина...

Номер патенту: 18067

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Білоусов Ігор Володимирович, Ільченко Василь Васильович, Кузнецов Геннадій Васильович, Стріха Віталій Ілларіонович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Мітки: плівки, оксидної, надпровідної, кремнії, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления сверхпроводящей оксидной пленки на кремнии, предусматривающий предварительное формирование на поверхности кремниевой подложки буферного слоя с последующим нанесением на него сверхпроводящей пленки, отличающийся тем, что буферный слой формируют путем нанесения на поверхность кремниевой подложки слоя оксида бария с последующей выдержкой при температуре 730-750°С в течение 1,5-2 часов.