Патенти з міткою «надпровідної»

Номер патенту: 20375

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Шулик Ярослав Іванович, Сорока Валентин Володимирович, Зражевський Вячеслав Іванович

МПК: C04B 35/64

Мітки: кераміки, спосіб, матеріалу, високотемпературної, надпровідної, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения материала для высокотем­пературной сверхпроводящей керамики, включа­ющий приготовление и последующую термичес­кую обработку шихты керамикообразующих ком­понентов, отличающийся тем, что после нагрева гранулированной шихты до 1213-1223 К термиче­скую обработку ее ведут в циклическом режиме по схеме: воздушное охлаждение до температуры 973-993 К, нагрев до определяющей температуры 1213-1232 К, с последующей выдержкой при этой...

Номер патенту: 15312

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Кордюк Олександр Анатолійович, Морозовський Олексій Дмитрович, Немошкаленко Володимир Володимирович

МПК: G01N 27/72

Мітки: частки, надпровідної, виявлення, матеріали, спосіб, фазі, об'ємної

Формула / Реферат:

Способ определения объемной доли сверхпроводящей фазы в материале, охлажденном ниже температуры перехода образца в сверхпроводящее состояние, включающий воздействие на исследуемый материал переменным магнитным полем, создаваемым колеблющимся постоянным магнитом (ПМ) сферической формы, измерение резонансной частоты колебаний ПМ и определение объемной доли сверхпроводящей фазы по формуле, отличающийся тем, что измеряют резонансные частоты...

Номер патенту: 18067

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Білоусов Ігор Володимирович, Кузнецов Геннадій Васильович, Ільченко Василь Васильович, Стріха Віталій Ілларіонович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Мітки: оксидної, спосіб, кремнії, плівки, виготовлення, надпровідної

Формула / Реферат:

Способ изготовления сверхпроводящей оксидной пленки на кремнии, предусматривающий предварительное формирование на поверхности кремниевой подложки буферного слоя с последующим нанесением на него сверхпроводящей пленки, отличающийся тем, что буферный слой формируют путем нанесения на поверхность кремниевой подложки слоя оксида бария с последующей выдержкой при температуре 730-750°С в течение 1,5-2 часов.

Номер патенту: 10521

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Маліков Віталій Якович, Салійчук Олена Костянтинівна, Тіман Беніамін Липович, Коток Людмила Анатоліївна, Квічко Ліля Абрамівна, Стадник Петро Ємельянович

МПК: G01N 29/00

Мітки: спосіб, надпровідної, густини, вимірювання, високотемпературної, кераміки, критичного, струму

Формула / Реферат:

Способ измерения плотности критического тока высокотемпературной сверхпроводящсй (ВТСП) керамики, четырехзондовым методом, ос­нованный на измерении величины транспортного тока, протекающего через образец в момент пере­хода ВТСП-керамики из сверхпроводящего в резистивное состояние, отличающийся тем, что образец ВТСП-керамики помещают в переменное магнитное поле звуковой частоты, измеряют вели­чину критического транспортного тока, определя­ют...