Патенти з міткою «кремнії»

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: C30B 29/06, H01L 21/00, H01L 31/00 ...

Мітки: нанорозмірного, кремнію, кремнії, сонячних, поруватого, отримання, спосіб, елементів, використанням, монокристалічному

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 97884

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Лісовський Ігор Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Злобін Сергій Олександрович, Войтович Марія Володимирівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: преципітованого, концентрації, кремнії, кисню, спосіб, монокристалічному, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії, який включає хімічну обробку полірованої з обох сторін пластини кремнію в розчині HF, опромінення її ІЧ світлом і вимірювання смуги ІЧ пропускання в діапазоні 1000-1200 см-1 на валентних Si-Ο зв'язках, який відрізняється тим, що пластину кремнію при вимірюванні смуги ІЧ пропускання додатково охолоджують до температури рідкого азоту 77 К, із зареєстрованої...

Номер патенту: 53507

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Реков Юрій Васильович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, кремнії, бору, визначення, полікристалічному, вмісту

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вмісту бору в полікристалічному кремнії, що включає вирізку і шліфування заготовки з початкового полікристалічного кремнієвого стрижня, хімічне травлення і відмивання її деіонізованою водою, сушіння заготовки, проведення безтигельної зонної плавки, вимірювання на плавленому стрижні питомого електричного опору, який відрізняється тим, що безтигельну зонну плавку проводять в дві стадії, після кожної вимірюють в контрольних...

Номер патенту: 48795

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Теселько Петро Олексійович, Михалюк Ольга В'ячеславівна, Новиков Микола Миколайович

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, кисневмісних, домішок, гетерування, кремнії

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування кисневмісних домішок у кремнії, що включає відпал пластин у температурній області їх кисневого пересичення, який відрізняється тим, що пластини вводять в напружений стисканням стан, після чого здійснюють їх відпал при температурі 500-700 °С.

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Костильов Віталій Петрович, Єфремов Олексій Олександрович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Саріков Андрій Вікторович, Євтух Анатолій Антонович, Рассамакін Юрій Володимирович, Клюй Микола Іванович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: домішок, спосіб, полікристалічному, рекомбінаційно-активних, кремнії, гетерування, монокристалічному

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Романюк Борис Миколайович, Горбулик Володимир Іванович, Литовченко Володимир Григорович, Клюй Микола Іванович, Мельник Віктор Павлович, Марченко Ростислав Іванович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: домішок, рекомбінаційно-активних, спосіб, кремнії, гетерування

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...

Номер патенту: 15690

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Антонова Валентина Антонівна, Філіпченко Ірина Миколаївна, Клембек Сергій Петрович, Герасімов Алєксєй Борісовіч, Старков Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, переходів, кремнії, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ создания р-n переходов в кремнии, включающий введение примеси с планарной стороны пластины и диффузионную разгонку примеси импульсным некогерентным излучением с длиной волны из области собственного поглощения кремния в течение времени, необходимого для получения р-n перехода заданной глубины залегания, отличающийся тем, что разгонку осуществляют облучением пластины с непланарной стороны излучением с плотностью мощности не менее 20...

Номер патенту: 18067

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Кузнецов Геннадій Васильович, Стріха Віталій Ілларіонович, Білоусов Ігор Володимирович, Ільченко Василь Васильович

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Мітки: оксидної, кремнії, плівки, виготовлення, спосіб, надпровідної

Формула / Реферат:

Способ изготовления сверхпроводящей оксидной пленки на кремнии, предусматривающий предварительное формирование на поверхности кремниевой подложки буферного слоя с последующим нанесением на него сверхпроводящей пленки, отличающийся тем, что буферный слой формируют путем нанесения на поверхность кремниевой подложки слоя оксида бария с последующей выдержкой при температуре 730-750°С в течение 1,5-2 часов.