Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур
Номер патенту: 66594
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Осінський Володимир Іванович, Ляхова Наталія Миколаївна, Масол Ігор Віталійович, Ляхова Ніна Олегівна
Формула / Реферат
1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими елементами, що притаманні епітаксійним структурам напівпровідників А3В5.
2. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур за п. 1, який відрізняється тим, що електроди газорозрядних комірок виготовлені із сполук АЗВ5 або їх твердих розчинів (для прецизійного управління атомним складом епітаксійних шарів).
3. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур за п. 1, який відрізняється тим, що один або декілька електродів газорозрядних комірок виготовлені із елементів або сполук фосфору, миш'яку, сурми, азоту або кисню.
Текст
1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті 3 В іншій конкретній формі виконання згідно з корисною моделлю один або декілька електродів газорозрядних комірок виготовлені із елементів або сполук фосфору, миш'яку, сурми, азоту або кисню. Ознаки, що відрізняють технічне рішення від прототипу, не виявлені в інших технічних рішеннях при вивченні даної і суміжних областей техніки. На кресленні зображено загальну структуру пристрою для епітаксійного вирощування напівпровідників А3В5 (в розрізі). Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідників А3В5, як показано на кресленні, містить реактор (1), систему нагріву (2), підкладки (3), розташовані на підставці (4), трубчаті канали (5) для подачі в реактор газів-носіїв, газорозрядні комірки з електродами (6). Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідників А3В5 (креслення) діє наступним Комп’ютерна верстка Н. Лисенко 66594 4 чином: у реактор (1) з керованою системою нагріву (2) підкладок (3), розташованих на підставці (4), вводять через трубчасті канали (5) газ-носій, наприклад азот. Для прецизійного управління атомним складом епітаксійних шарів і забезпечення мінімізації небажаних домішок в епітаксійних структурах напівпровідників використовують газорозрядні комірки (6), що забезпечують постачання складових напівпровідників А3В5 завдяки виготовленню електродів газорозрядних комірок (6) із алюмінію, галію, індію або їх сплавів без або з легуючими елементами. Крім того, електроди газорозрядних комірок (6) можуть бути виготовлені із сполук А3В5 або їх твердих розчинів. В іншому випадку один або декілька електродів газорозрядних комірок (6) можуть бути виготовлені із елементів або сполук фосфору, миш'яку. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюApparatus for epitaxial growing semiconductor heterostructures
Автори англійськоюLiakhova Nataliia Mykolaivna, Osinskyi Volodymyr Ivanovych, Liakhova Nina Olehivna, Serheev Oleh Tymofiiovych
Назва патенту російськоюУстройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структур
Автори російськоюЛяхова Наталья Николаевна, Осинский Владимир Иванович, Ляхова Нина Олеговна, Масол Игорь Витальевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/00, H01L 33/00
Мітки: напівпровідникових, гетероструктур, пристрій, вирощування, епітаксійного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-66594-pristrijj-dlya-epitaksijjnogo-viroshhuvannya-napivprovidnikovikh-geterostruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур</a>
Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук
Номер патенту: 38628
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович, Баганов Євген Олександрович
МПК: C30B 19/00, H01L 21/02, C30B 29/00
Мітки: спосіб, багатокомпонентних, вирощування, гетероепітаксійного, сполук, напівпровідникових, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук, що включає первісну хімічну підготовку підкладки, нанесення на планарну поверхню захисного маскуючого шару Si3N4 або SiO2, формування за допомогою фотолітографії і хімічного або плазмохімічного травлення вікон у захисному маскуючому шарі, який відрізняється тим, що після формування вікон у захисному шарі проводять формування поруватого шару у вікнах за...
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію
Номер патенту: 24815
Опубліковано: 06.10.1998
Автори: Краснов Василь Олександрович, Попова Вікторія Євгенівна, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: C30B 19/00, C30B 29/40
Мітки: галлію, епітаксійного, нарощування, арсеніду, шарів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...
Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією
Номер патенту: 67198
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Золкіна Людмила Вікторівна, Кожемякін Геннадій Миколайович
МПК: H01L 21/20
Мітки: вирощування, шарів, спосіб, епітаксією, напівпровідникових, рідкофазною
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...
Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів
Номер патенту: 10594
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Островський Петро Іванович, Красножонов Євген Павлович, Байцар Роман Іванович, Островська Анастасія Степанівна
МПК: C30B 29/06, C30B 29/00
Мітки: струнних, ниткоподібних, вирощування, резонаторів, спосіб, кристалів, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепаду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального питомого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...
Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук а4в6 (pbte, pbsnte, pbgete)
Номер патенту: 49632
Опубліковано: 11.05.2010
Автор: Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00
Мітки: монокристалів, pbте, вирощування, напівпровідникових, сублімуючих, pbsnte, твердих, спосіб, сполук, а4в6, розчинів, pbgete
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу.
Попередній патент: Спосіб одержання засобу з діуретичною дією
Наступний патент: Напівпровідникова гетероструктура
Випадковий патент: Газотурбінна установка