Патенти з міткою «гетероструктур»

Номер патенту: 94627

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: графітових, гетероструктур, спосіб, нарисованих, виготовлення, плівок, фоточутлівих, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок, що включає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що графітову плівку спочатку рисують на розчинній підкладці, а потім переносять на гладку або наноструктуровану поверхню напівпровідникової підкладки і формують якісний оптичний контакт.

Номер патенту: 67793

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: заміщення, ізовалентного, гетероструктур, спосіб, виготовлення, методом

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетероструктур CdSe/CdTe шляхом ізовалентного заміщення, який відрізняється тим, що процес проводять у відкачаній до 10-4 тор і запаяній кварцовій ампулі, в якій знаходяться підкладинка CdTe і наважка Se при температурах 500-800 °C.

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Ляхова Ніна Олегівна, Ляхова Наталія Миколаївна

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: пристрій, гетероструктур, напівпровідникових, епітаксійного, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Номер патенту: 41229

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович, Голяка Роман Любомирович, Михащук Юрій Сергійович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/00

Мітки: кристалізації, спосіб, гетероструктур, точками, лазерних, квантовими

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.

Номер патенту: 40992

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович

МПК: G01B 7/00, G01R 33/02

Мітки: базі, надпровідниковий, гетероструктур, кубіт, тришарових

Формула / Реферат:

Надпровідниковий кубіт, що містить діелектричну підкладку, на якій розташовано надпровідну петлю, який відрізняється тим, що до надпровідної петлі додатково введено принаймні одну тришарову гетероструктуру, що містить нижній шар надпровідника, неоднорідний тонкоплівковий діелектричний бар'єр із оптимізованою функцією розподілу прозоростей в ньому, а також верхній шар надпровідника, перший вивід надпровідної петлі приєднаний до нижнього шару...