Матківський Остап Миколайович
Спосіб отримання термоелектричного композита pbte із нановключеннями zno
Номер патенту: 102228
Опубліковано: 26.10.2015
Автор: Матківський Остап Миколайович
МПК: C01B 19/00, C01G 9/02, B82B 3/00 ...
Мітки: спосіб, термоелектричного, отримання, композита, нановключеннями
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...
Спосіб отримання нанокомпозиту pbte:zno із незначною теплопровідністю
Номер патенту: 102227
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Матківський Остап Миколайович
МПК: C01B 19/00, B82B 3/00, C01G 21/00 ...
Мітки: спосіб, нанокомпозиту, теплопровідністю, отримання, pbte:zno, незначною
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...
Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte
Номер патенту: 97316
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Ткачук Андрій Іванович, Матківський Остап Миколайович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: p-типу, тонких, провідності, бісмутом, спосіб, властивостей, плівок, термоелектричних, покращення, легованого, основі
Формула / Реферат:
1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...