Неменов Віктор Олександрович

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Проценко Володимир Григорович, Ейдельман Лев Георгійович, Любинський Вадим Рувинович, Неменов Віктор Олександрович

МПК: C30B 29/12, C30B 17/00

Мітки: монокристалів, активованих, спосіб, вирощування, лужногалоідних

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Проценко Володимир Григорович, Неменов Віктор Олександрович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Львович Валентин Анатолійович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 16722

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Панова Олександра Миколаївна, Ейдельман Лев Георгійович, Неменов Віктор Олександрович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 29/12, C30B 11/02

Мітки: кристалів, спосіб, одержання, лужногалоідних

Формула / Реферат:

Способ получения щелочно-галоидных кри­сталлов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной ка­мере до заданной температуры, заполнение каме­ры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и удаления из камеры токсичных и агрессивных га­зов, заполнение камеры инертным газом ведут до давления 1-2атм, а перед выращиванием давление...