Ніколаєнко Юрій Григорович
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 30533
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Ніколаєнко Юрій Григорович, Суворова Лідія Михайлівна, Кривуца Валентин Антонович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, діод, безкорпусний, кремнієвий, p-і-n
Формула / Реферат:
1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...