Пожуєв Володимир Іванович

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович, Головко Юрій Вікторович, Швець Євген Якович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів, розплаву, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Воляр Роман Миколайович, Швець Євген Якович, Головко Юрій Вікторович, Єгоров Сергій Геннадійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: розплаву, спосіб, вирощування, кремнію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...

Номер патенту: 30445

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Воляр Роман Миколайович, Гасик Михайло Іванович, Червоний Іван Федорович, Єгоров Сергій Геннадійович, Тутик Валерій Анатолійович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кремнію, кисню, концентрацією, домішки, вирощування, заданою, спосіб, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню по методу Чохральського, що включає приготування початкової шихти і її розплавлення в кварцовому тиглі, вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування...

Номер патенту: 26471

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Гасик Михайло Іванович, Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, розплаву, вирощування, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає розміщення початкового кремнію в кварцовому тиглі, розігрівання і розплавлення його, затравлювання і вирощування монокристала заданих діаметра і довжини, який відрізняється тим, що початковий кремній в кварцовому тиглі розігрівають і розплавляють високовольтним тліючим розрядом.

Номер патенту: 26470

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Тутик Валерій Анатолійович, Червоний Іван Федорович, Пожуєв Володимир Іванович, Гасик Михайло Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: плавки, пристрій, напівпровідникових, зонної, безтигельної, матеріалів, стержнів

Формула / Реферат:

Пристрій для безтигельної зонної плавки стержнів із напівпровідникових матеріалів з нагрівачем у вигляді електронної гармати, що містить порожнистий корпус, в якому концентрично розміщені кільцевий катод з увігнутою емісійною поверхнею, кільцевий анод з щілинним отвором для проходження електронного пучка і встановлені на торцевих стінках корпусу на однаковій відстані від площини симетрії кільцеві магнітні котушки, який відрізняється тим, що в...

Номер патенту: 25554

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Тутик Валерій Анатолійович, Гасик Михайло Іванович, Червоний Іван Федорович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, зонною, безтигельною, кремнію, плавкою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію безтигельною зонною плавкою на затравці, що включає попередній розігрів вихідного стержня й затравки до заданої температури, натравлення кристала, утворення зони розплаву за допомогою індукційного нагрівача й переміщення зони розплаву уздовж вихідної заготівки, який відрізняється тим, що розігрів вихідного стержня й затравки здійснюють за допомогою електронного нагрівача на основі високовольтного...