Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, о холодження монокристала, який відрізняється тим, що товщин у розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу вирощуваного монокристала. (19) (21) u200805593 (22) 29.04.2008 (24) 10.09.2008 (46) 10.09.2008, Бюл.№ 17, 2008 р. (72) ПОЖУЄВ ВОЛОДИМИР ІВАНОВИЧ, UA, ВОЛЯР РОМАН МИКОЛАЙОВИЧ, UA, ГОЛОВКО ЮРІЙ ВІКТОРОВИЧ, U A, ЄГОРОВ СЕРГІЙ ГЕННАДІЙОВИЧ, U A, ШВЕЦЬ ЄВГЕН ЯКОВИЧ, UA (73) ЗАПОРІЗЬКА ДЕРЖАВН А ІНЖЕНЕРНА АКАДЕМІЯ, UA 3 35367 4 кремнію забезпечується зниження швидкості концентрацією легуючої домішки бору, рівною векційних потоків, що забезпечує підвищення од1× 1016 см-3 . Вирощування здійснювали при висоті норідності розподіл} домішок по об'єму монокрисрозплаву, рівною 0,3 радіусу вирощуваного монотала. кристала (30мм). Величина радіального відносного Для вирішення поставленого завдання в сповідхилення питомого електричного опору від сересобі вирощування монокристалів кремнію з розднього значення по торцю, усереднена за 10 проплаву за методом Чохральского, який включає цесів вирощування, склала 8%. введення кремнієвої монокристалічної затравки в За методом Чохральского в установках типу розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощу«Редмет-30» вирощувалися бездислокаційні мовання монокристала до заданого діаметра, виронокристали кремнію із кристалографічною орієнщування циліндричної частини монокристалу, відтацією , діаметром 200мм і середньою конрив монокристала від розплаву, о холодження центрацією легуючої домішки бора, рівною монокристалу, згідно з корисною моделлю товщину розплаву під фронтом кристалізації монокрис1× 1016 см-3 . Вирощування здійснювали при висоті тала підтримують рівною 0,3...0,5 радіуса вирощурозплаву, рівною 0,5 радіусу вирощуваного монованого монокристалу. кристала (50мм). Величина радіального відносного При висоті розплаву менш 0,3 радіусу вировідхилення питомого електричного опору від серещуваного монокристала відбувається збільшення днього значення по торцю, усереднена за 10 протемператури на фронті кристалізації і не забезпецесів вирощування, склала 11%. чується вирощування монокристалів кремнію заУ порівнянні з відомими способами спостеріданих геометричних розмірів. гається зниження величини радіального відносноПри висоті розплаву більше 0,5 радіусу вирого відхилення питомого електричного опору від щуваного монокристала забезпечується вирощусереднього значення по торцю монокристала кревання монокристалів кремнію заданих геометричмнію на 30...35%. них розмірів, але збільшується неоднорідність Корисна модель, що заявляється, забезпечує розподілу домішок у монокристалі. значне підвищення однорідності розподілу доміРезультати були випробувані наступним чишок по об'єму монокристала, що у свою чергу підном вищує його якість, збільшує ви хід у готову продукЗа методом Чохральского в установках типу цію, поліпшує те хніко-економічні показники «Редмет-30» вирощувалися бездислокаційні мопроцесу вирощування монокристала. нокристали кремнію із кристалографічною орієнтацією , діаметром 200мм і середньою кон Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601