Воляр Роман Миколайович

Номер патенту: 53507

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Червоний Іван Федорович, Реков Юрій Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: полікристалічному, спосіб, вмісту, бору, кремнії, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вмісту бору в полікристалічному кремнії, що включає вирізку і шліфування заготовки з початкового полікристалічного кремнієвого стрижня, хімічне травлення і відмивання її деіонізованою водою, сушіння заготовки, проведення безтигельної зонної плавки, вимірювання на плавленому стрижні питомого електричного опору, який відрізняється тим, що безтигельну зонну плавку проводять в дві стадії, після кожної вимірюють в контрольних...

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Швець Євген Якович, Головко Юрій Вікторович, Воляр Роман Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, розплаву, монокристалів, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Головко Юрій Вікторович, Швець Євген Якович, Єгоров Сергій Геннадійович, Пожуєв Володимир Іванович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: розплаву, спосіб, монокристалів, вирощування, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...

Номер патенту: 31757

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Червоний Іван Федорович, Бачурський Денис Васильович, Криворучко Микола Петрович, Воляр Роман Миколайович

МПК: G01N 30/00

Мітки: розплавах, спосіб, суспензії, визначення, тверді, часток, дисперсності, містять

Формула / Реферат:

Спосіб визначення дисперсності часток у розплавах, що містять тверді суспензії, який включає визначення кількості речовини, що осаджується, на певній глибині розплаву й розрахунок дисперсності, який відрізняється тим, що в процесі осадження часток відбирають проби, після їхнього охолодження визначають концентрацію часток, що осаджуються, і розраховують дисперсність по рівнянню:

Номер патенту: 30445

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Червоний Іван Федорович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович, Пожуєв Володимир Іванович, Тутик Валерій Анатолійович, Гасик Михайло Іванович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, заданою, домішки, кисню, розплаву, концентрацією, спосіб, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню по методу Чохральського, що включає приготування початкової шихти і її розплавлення в кварцовому тиглі, вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування...

Номер патенту: 23104

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Червоний Іван Федорович, Швець Євген Якович, Карась Микола Іванович, Комаринський Олексій Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, вирощування, розплаву, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, який знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відривання монокристала від...

Номер патенту: 22770

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Червоний Іван Федорович, Єгоров Сергій Геннадійович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, кремнію, розплаву, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відрив монокристала від розплаву,...

Номер патенту: 16673

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Червоний Іван Федорович, Воляр Роман Миколайович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, процесі, вакуумної, кристалів, плавки, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів в процесі вакуумної плавки, що здійснюють шляхом подачі з випарника через сопло паропроводу на розплав потоку легуючої речовини, який відрізняється тим, що потік легуючої речовини після виходу з сопла пропускають через отвір в екрані, встановленому паралельно поверхні розплаву.