Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву із заданою концентрацією домішки кисню по методу Чохральського, що включає 3 30445 4 Для вирішення поставленого завдання в 7×1017...9×1017см -3. В якості шихти для вирощування способі вирощування монокристалів кремнію з використовували частини монокристалів кремнію з розплаву по методу Чохральського, що включає концентрацією кисню в діапазоні від 1,0×1017см -3 до приготування шихти і її розплавлення в 1,4×1017см -3 (0,15 заданій концентрації кисню у кварцовому тиглі, вирощування монокристалів вирощеному монокристалі). Результати кремнію з розплаву кремнію, що знаходиться в вимірювання концентрації домішки кисню, кварцовому тиглі, шля хом введення кремнієвої усереднені за 25 процесів вирощування складало монокристалічної затравки в розплав кремнію, від 8,4×1017см-3 у верхній частині монокристала до вирощування "шийки", розрощування 6,6×1017см -3 в нижній частині монокристала. Вихід монокристала до заданого діаметру, вирощування придатного продукту склав в цьому випадку 66%. циліндрової частини монокристала і У разі вирощування монокристалів за відомим "протилежного конуса", відрив монокристала від способом, концентрація кисню в монокристалах розплаву і о холоджування монокристала, кремнію складало від 9,8×1017см -3 у верхній частині відповідно до корисної моделі, в якості початкової монокристала до 6,5×1017см -3 в нижній частині шихти для вирощування монокристалів кремнію монокристала. Вихід придатного продукту склав в використовують частини оборотного кремнію з цьому випадку 52%. концентрацією кисню, рівною 0,15...0,5 заданій Спосіб, що заявляється, забезпечує концентрації кисню у вирощеному монокристалі. отримання якісних монокристалів із заданим У пропонованому способі вирощування діапазоном концентрацій домішки кисню і монокристалів кремнію з розплаву із заданою ефективну переробку оборотів кремнію, що у свою концентрацією домішки кисню при підготовці чергу збільшує вихід придатного продукту і шихти відбираються частини монокристалів з покращує те хніко-економічні показники процесу концентрацією кисню, рівною 0,15...0,5 заданій вирощування монокристалів. концентрації кисню в монокристалі, який вирощуватиметься з підготовленої шихти. При використанні частин монокристалів кремнію з концентрацією кисню, більше 0,5 заданої концентрації кисню у вирощеному монокристалі, неможливо виростити монокристал кремнію із заданою концентрацією кисню із-за насичення розплаву кремнію киснем з кварцу тигля. При використанні частин монокристалів кремнію з концентрацією кисню, менше 0,15 заданої концентрації кисню у вирощеному монокристалі, необхідно використовувати початкову сировину високого ступеня чистоти і проводити додаткове легування монокристала киснем. Ця операція приводить до подорожчання процесу і собівартість такого вирощеного монокристала дуже велика, що економічно не вигідно. Спосіб, що заявляється, було випробувано таким чином. Методом Чохральського в установках типу «Редмет-30» вирощувалися бездіслокаційнІ монокристали кремнію з кристалографічною орієнтацією , діаметром 150мм і середньою концентрацією легуючої домішки бору, рівної 1×1016см -3 і концентрацією кисню, рівною 7×1017...9×1017см -3. В якості шихти для вирощування використовували частини монокристалів кремнію з концентрацією кисню в діапазоні від 3,5×1017см -3 до 4,5×1017см -3 (0,5 заданого діапазону концентрацій кисню у вирощеному монокристалі). Результати вимірювання концентрації домішки кисню, усереднені за 25 процесів вирощування складало від 9,4×1017см-3 у верхній частині монокристала до 7,2×1017см -3 в нижній частині монокристала. Вихід придатного продукту склав в цьому випадку 72%. Методом Чохральського в установках типу «Редмет-30» вирощувалися бездіслокаційні монокристали кремнію з кристалографічною орієнтацією , діаметром 150мм і середньою концентрацією легуючої домішки бору, рівною 1×1016см -3 і концентрацією кисню, рівною