Патенти з міткою «безтигельної»

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Реков Юрій Васильович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/20

Мітки: вирощування, кристалів, безтигельної, плавки, методом, індуктор, зонної

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Баранський Петро Іванович, Бабич Вілик Максимович, Статкевич Ігор Іванович, Піскун Наталія Василівна, Асніс Юхим Аркадійович

МПК: C30B 29/06, C30B 13/12, C30B 13/22 ...

Мітки: спосіб, кремнію, електронно-променевої, легованих, зонної, монокристалів, здійснення, методом, пристрій-натікач, безтигельної, плавки, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 26470

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Гасик Михайло Іванович, Червоний Іван Федорович, Тутик Валерій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, зонної, плавки, безтигельної, напівпровідникових, матеріалів, стержнів

Формула / Реферат:

Пристрій для безтигельної зонної плавки стержнів із напівпровідникових матеріалів з нагрівачем у вигляді електронної гармати, що містить порожнистий корпус, в якому концентрично розміщені кільцевий катод з увігнутою емісійною поверхнею, кільцевий анод з щілинним отвором для проходження електронного пучка і встановлені на торцевих стінках корпусу на однаковій відстані від площини симетрії кільцеві магнітні котушки, який відрізняється тим, що в...

Номер патенту: 8250

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Сілаков Григорій Іванович, Осовський Михайло Йосипович, Трубіцин Юрій Васильович, Червоний Іван Федорович, Дудченок Володимир Васильович, Дудавський Сергій Ісаєвич, Фалькевич Едуард Семенович

МПК: C30B 13/00

Мітки: безтигельної, зонної, отримання, методом, монокристалів, легованих, індукційної, плавки, спосіб, пристрій, здійснення, кремнію

Формула / Реферат:

1. Способ получения легированных монокри­сталлов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки, включающий размещение исходного стержня в камере выращивания, вакууми-рование камеры выращивания, расплавление исход­ного стержня и дозированную подачу легирующего элемента соплом к зоне расплава, отличающийся тем, что в процессе вакуумирования производят до­полнительное осушивание камеры выращивания и технологической оснастки, а...

Номер патенту: 8247

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Червоний Іван Федорович, Фалькевич Едуард Семенович, Сілаков Григорій Іванович, Дудченок Володимир Васильович

МПК: C30B 15/20, C30B 13/00

Мітки: кремнію, безтигельної, методом, спосіб, одержання, монокристалів, зонної, плавки, бездислокаційних

Формула / Реферат:

Способ получения бездислокационных моно­кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последую­щее выращивание цилиндрической части моно­кристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращива­ние конической части монокристалла до...