Прокопишин Іван Юрійович
Матеріал для товстоплівкових резисторів
Номер патенту: 19294
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Левін Євген Михайлович, Прокопишин Іван Юрійович, Тебенько Ігор Васильович, Калашник Ліна Дмитрівна, Яворів Ігор Богданович, Шередько Микола Андрійович
Мітки: товстоплівкових, матеріал, резисторів
Формула / Реферат:
Материл для толстопленочных резисторов, включающий борсодержащий силицид никеля в количестве 30-60 мас.% и стекло-связующее на основе системы B2O3-AI2O3-ZnO-MnO-Na2O-Li2O в количестве 40-70 мас.%, отличающийся тем, что он дополнительно содержит в составе стекло-связующего оксид калия при следующем соотношении компонентов стеклосвязующего, мас.%:
Матеріал для товстоплівкових резисторів
Номер патенту: 11037
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Левін Євген Михайлович, Кузьма Юрій Богданович, Яворів Ігор Богданович, Шередько Микола Андрійович, Бодак Оксана Іванівна, Підковка Володимир Олексійович, Котик Василь Степанович, Тебенько Ігор Васильович, Прокопишин Іван Юрійович, Калашник Ліна Дмитрівна
Мітки: резисторів, матеріал, товстоплівкових
Склофріта для міжшарової ізоляції гібридних інтегральних мікросхем
Номер патенту: 7351
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Максимович Світлана Іллівна, Голеус Віктор Іванович, Прокопишин Іван Юрійович, Козирєва Тетяна Іванівна, Білий Яків Іванович, Брухаль Богдан Семенович, Шевченко Тамара Олександрівна, Різун Василь Іванович, Марченко Анатолій Володимирович
МПК: C03C 8/08
Мітки: гібридних, склофріта, ізоляції, міжшарової, інтегральних, мікросхем
Формула / Реферат:
Стеклофритта для межслойной изоляции гибридных интегральных микросхем, включающая SiO2, В2О3, BaO, MgO, отличающаяся тем, что, с целью снижения ТКЛР до (70-85):10-7•град-1 при сохранении температуры начала размягчения, она дополнительно содержит ZnO и ZrO2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 17,2-20,7; В2О3 20,0-30,5; BaO 15,6-28,2; MgO 20,5-29,2; ZnO 1,3-5,7; ZrO2 1,8-5,6.