Склофріта для міжшарової ізоляції гібридних інтегральних мікросхем

Изобретение относится к составам стекловидных фритт, используемых для межслойной изоляции гибридных интегральных микросхем,, Цель изобретения заключается в снижении ТКЛР до (70-85) • 10~ г град- f при сохранении температуры начала размягчения„ Стеклофритта для межслойной изоляции гибридных интегральных микросхем со17,2-20,7, держит, мас о %: В / ) 3 20,0-30,5, BaO 15,6-28,2, MgO 20,5-29,2, ZnO 1,3-5,7, ZrO? 1,85,6. Температура варки шихты 13401400 c C, ТКЛР стеклокристаллического материала для изоляционного покрытия 70,4-79,0, температура начала размягчения 790-850°С, температура кристаллизации информирования покрытия - 83О-86О^С. 2 табл о предварительно измельчают до дисперсности, характеризующейся удельной поверхностью 2500-3500 см2/г в При получении покрытий методом трасЬаретной печати используются пасты на основе органических связующих с содержанием 70-80% порошков предлагаемого стекла„ Составы синтезированных стекло-* фритт и их свойства представлены в табл.» I и табл о 2 е Температура вжигания изоляционных покрытий на основе порошков разработанной стеклофритты соответствует температуре их кристаллизации и равна 83О-86О°С, а ТКЛР - ТКЛР керамики 22хС - (70,4-79,0) • Ю ~ 7 град,1 (Л 00 ел Н82Ш Ф о р м у л а (70-85) 10" 7 град ""'при сохранении температуры начала размягчения, она дополнительно содержит ZnO и ZrO2 при следующем соотношении компонент о в , м а с Д : S i O , 17,2-20,7; В 7 0 3 2 0 , 0 - 3 0 , 5 ; БаО 1 5 , 6 - 2 8 , 2 ; MgO 2 0 , 5 29,2; ZnO 1,3-5,7; ZrO* 1,8-5,6. и з о б р е т е н и я Стеклофрнтта для межслойігой и з о ляции гибріщньїх интегральных микросхем, включающая SiO^, В О » В а 0 » MgO, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью снижения ТКЛР до Т а б л и ц а Номера стекол Оксиды 2 SiO, BaO' MgO ZrO, ZnO 1 17,6 24,9 23,2 27,2 2,3 4,8 13 17,2 26,7 21,5 25,3 4,9 4,4 1 4 20,4 20,0 27,8 24,3 20,7 27,5 28,2 20,5 1,8 1,8 1,3 5,7 19,7 30,5 15,6 28,9 19,9 26,7 15,7 29,2 2,4 2,9 5,6 2,9 Т а б л и ц а Номера стекол Свойства izinzrn: 2 ТКЛР стеклокристаллического материала для изоляционного покрытия в интервале 2O-4OO D C, . f 10 ї град"1 o Дилатометрическая температура начала размягчения стеклокристалличегких материалов, °С Температура формирования и кристаллизации изоляционных покрытіш, °С Редактор Е. ПОЛИОНОВЕ» 2 I 3 ] 4 1 5 16 70,4 78,1 75,0 75,8 84,5 79,0 850 845 790 790 795 810 830 830 850 860 850 860 Составитель Г. Мурашова Техред М. Дидык Корректор Э.Кравцова Заказ 839/ДСП Тираж 281 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР » 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101