Патенти з міткою «міжшарової»
Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції структур великих інтегральних схем
Номер патенту: 114668
Опубліковано: 10.07.2017
Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Новосядлий Святослав Володимирович, Котик Михайло Васильович
МПК: H01L 21/31, H01L 21/3065, H01L 21/265 ...
Мітки: ізоляції, схем, формування, спосіб, плазмового, інтегральних, великих, структур, міжшарової
Формула / Реферат:
Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...
Спосіб оцінки міжшарової міцності пористих сіткових матеріалів з тканих металевих сіток
Номер патенту: 34643
Опубліковано: 15.03.2001
Автор: Тишкевич Тарас Ростиславович
Мітки: міцності, міжшарової, сіткових, тканих, матеріалів, спосіб, оцінки, сіток, пористих, металевих
Формула / Реферат:
Спосіб оцінки міжшарової міцності пористих сіткових матеріалів з тканих металевих сіток, який полягає в тому, що до зразка у вигляді хрестоподібного зварного з'єднання дротів, який імітує одиничне з'єднання між шарами сіток, прикладають зусилля до руйнування зразка і фіксують зусилля руйнування, який відрізняється тим, що зусилля прикладають паралельно до площини зварного з'єднання, додатково фіксують вид руйнування, а про міжшарову міцність...
Склофріта для міжшарової ізоляції гібридних інтегральних мікросхем
Номер патенту: 7351
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Брухаль Богдан Семенович, Різун Василь Іванович, Максимович Світлана Іллівна, Козирєва Тетяна Іванівна, Голеус Віктор Іванович, Шевченко Тамара Олександрівна, Прокопишин Іван Юрійович, Білий Яків Іванович, Марченко Анатолій Володимирович
МПК: C03C 8/08
Мітки: мікросхем, ізоляції, інтегральних, склофріта, міжшарової, гібридних
Формула / Реферат:
Стеклофритта для межслойной изоляции гибридных интегральных микросхем, включающая SiO2, В2О3, BaO, MgO, отличающаяся тем, что, с целью снижения ТКЛР до (70-85):10-7•град-1 при сохранении температуры начала размягчения, она дополнительно содержит ZnO и ZrO2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 17,2-20,7; В2О3 20,0-30,5; BaO 15,6-28,2; MgO 20,5-29,2; ZnO 1,3-5,7; ZrO2 1,8-5,6.