Патенти з міткою «мікросхем»

Номер патенту: 8837

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Стрельбіцький Віктор Васильович, Ройзман Вілен Петрович

МПК: B23K 1/00

Мітки: корпусом, з'єднання, мікрозбірок, підкладок, спосіб, мікросхем

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання підкладок з корпусом мікрозбірок (мікросхем) за допомогою паяння, який відрізняється тим, що в конструкцію вводять виводи-компенсатори, котрі розташовують між корпусом і підвіскою.

Номер патенту: 73218

Опубліковано: 15.06.2005

Автор: Ведер Уве

МПК: G05F 1/565, G05F 1/56, G06F 1/26 ...

Мітки: інтегральних, мікросхем, регулятора, схема, чіп-карток, напруги

Формула / Реферат:

1. Схема регулятора напруги для інтегральних мікросхем чіп-карток, що містить виконану як послідовний регулятор (L) схему для формування внутрішньої напруги живлення (VDDint) із зовнішньої напруги живлення (VDDext), в якій послідовний регулятор (L) містить послідовний регулювальний транзистор (М1), виводи витоку і стоку якого під'єднані між виводами внутрішньої напруги живлення (VDDint) і зовнішньої напруги живлення (VDDext), а також...

Номер патенту: 69040

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Кравчина Віталій Вікторович, Костенко Валер'ян Остапович

МПК: H01L 21/70

Мітки: виготовлення, спосіб, транзисторами, комплементарними, мікросхем, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення інтегральних схем з комплементарними транзисторами, який включає формування на монокристалічній кремнієвій пластині плівки нітриду кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, формування першої плівки двоокису кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, травлення першої групи ізолюючих канавок, формування захованого шару, формування другої плівки двоокису кремнію, відкривання вікон у плівках нітриду кремнію за...

Номер патенту: 56096

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Балабанов Володимир Павлович, Прощенко Володимир Георгійович, Євдокимов Володимир Віталійович

МПК: G01R 29/02

Мітки: пристрій, вимірювання, сигналів, мікросхем, фронтів, вихідних, цифрових

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання фронтів вихідних сигналів цифрових мікросхем, що містить два вхідних компаратори, виходи яких з'єднані з логічним елементом схеми збігу, вихід котрої з'єднано з формувачем імпульсів, який відрізняється тим, що  як схема збігу в ньому використовується логічний елемент, який "виключає АБО", вихід котрого з'єднано з інтегруючим RC-ланцюжком з розрядним діодом, що підключений до входу формувача імпульсів, вихід...

Номер патенту: 30801

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Селігей Олександр Минович, Ступенко Павло Миколайович

МПК: G11C 29/04

Мітки: мікросхем, пзп, пристрій, контролю

Текст:

...3 комутації з'єднана з другою групою виходів лічильника 2 адреси, друга група входів блока 3 комутації з'єднана з шиною 9 живлення, а виходи блока 3 комутації є другою групою адресних виходів пристрою для підключення до други х груп адресних входів і входів живлення контрольованої 7 і еталонної 8 мікросхем ПЗП. Блок 3 комутації може містити, наприклад, перемикачі S1, S2, S3, S4 з залежною фіксацією для вибору типа мікросхем ПЗП 27С256,...

Номер патенту: 13051

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Кутовой Ігор Васильович, Пундик Степан Васильович, Шурдук Борис Костянтинович

МПК: H01L 21/22

Мітки: виготовлення, спосіб, мікросхем, основі, мдн-транзисторів

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления микросхем на основе МДП-транзисторов, включающий химическую обработку пластин кремния, окисление, фотолитографию, диффузию примеси в областях стоков и истоков, отличающийся тем, что после формирования маскирующего окисла проводят контроль изменения удельного сопротивления пластины кремния, и диффузию примеси проводят при температуре окисления на глубину, определяемую выражением

Номер патенту: 12164

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бочвар Наталія Рубеновна, Лисова Євгенія Васильовна, Бессонов Валерій Андрійович, Ленніков Леонід Олександрович

МПК: C22C 21/00

Мітки: тонкоплівочних, пластин, основі, мікросхем, сплав, контактних, алюмінію, провідників

Формула / Реферат:

Сплав на основе алюминия для тонкопленоч­ных контактных площадок и проводников микро­схем, содержащий никель и церий, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезии, уменьше­ния удельного электросопротивления, повышения термостабильности тонкопленочных контактных площадок и проводников микросхем, он дополни­тельно содержит магний при следующем соотно­шении компонентов, мас.%:никель                        5,1 - 10,0магний...

Номер патенту: 11373

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Гуменюк Степан Дмитрович, Казінов Володимир Олександрович, Бідник Дмитро Ілліч, Лабунов Володимир Архипович, Лазарук Сергій Костянтинович, Баранов Ігор Ліверійович, Ілюк Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/28

Мітки: напівпровідникових, виготовлення, мікросхем, інтегральних, спосіб, приладів, металізації

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлизации полу­проводниковых приборов и интегральных микро­схем, включающий осаждение на полупро­водниковую пластину пленки алюминия, нанесе­ние слоя фоторезиста и формирование в нем кон­фигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разде­лительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных пло­щадок,...

Номер патенту: 8765

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Харахаш Ольга Григорівна, Воронін Олександр Олексійович, Волошкін Анатолій Федорович, Савенко Тетяна Володимирівна, Батог Анатолій Єгорович, Петько Іван Прохорович, Шологон Іван Михайлович

МПК: C08L 63/00, C08K 13/02, C08K 3/20 ...

Мітки: композиція, герметизації, інтегральних, мікросхем

Формула / Реферат:

Композиция для герметизации интеграль­ных микросхем, включающая эпоксиноволачную смолу, диглицидиловый эфир фенола, отверди­тель, кремни йорганический модификатор, уско­ритель, антиадгезионную добавку и наполнитель, отличающаяся тем, что, с целью повышения фи­зико-механических и диэлектрических показате­лей и технологических свойств, она в качестве диглицидилового эфира фенола содержит дигли­цидиловый эфир тетрабромдифенилолпропана, в...

Номер патенту: 7351

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Різун Василь Іванович, Білий Яків Іванович, Прокопишин Іван Юрійович, Шевченко Тамара Олександрівна, Козирєва Тетяна Іванівна, Брухаль Богдан Семенович, Голеус Віктор Іванович, Максимович Світлана Іллівна, Марченко Анатолій Володимирович

МПК: C03C 8/08

Мітки: гібридних, міжшарової, мікросхем, ізоляції, інтегральних, склофріта

Формула / Реферат:

Стеклофритта для межслойной изоляции гибридных интегральных микросхем, включаю­щая SiO2, В2О3, BaO, MgO, отличающаяся тем, что, с целью снижения ТКЛР до (70-85):10-7•град-1 при сохранении температуры начала раз­мягчения, она дополнительно содержит ZnO и ZrO2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 17,2-20,7; В2О3 20,0-30,5; BaO 15,6-28,2; MgO 20,5-29,2; ZnO 1,3-5,7; ZrO2 1,8-5,6.

Номер патенту: 4533

Опубліковано: 28.12.1994

Автор: Мояк Олег Федорович

МПК: H05K 13/04

Мітки: радіоелементів, друковані, установки, переважно, плати, пристрій, мікросхем

Формула / Реферат:

Устройство для установки на печатные платы радиоэлементов, преимущественно микросхем, содержащее два шарнирно соединенных двупле-чих рычага, свободный конец одного из плеч каж­дого из рычагов выполнен в виде зажимной губки, а другие плечи рычагов подпружинены, при этом одно из подпружиненных плеч рычагов выполне­но в виде рукоятки, на которой установлен регу­лировочный винт, отличающееся тем, что, с целью повышения удобства в эксплуатации,...

Номер патенту: 5309

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Молчанов Костянтин Вікторович, Остапчук Анатолій Іванович, Пенцак Іван Борисович

МПК: G01R 31/28

Мітки: електротермотренування, інтегральних, спосіб, мікросхем

Формула / Реферат:

Способ электротермотренировки интегральных микросхем, в соответствии с которым подают тестовые воздействия и напряжение питания на клеммы для подключения объекта контроля, к выходу же объекта контроля подключают нагрузку, отличающийся тем, что электротермотренировку проводят при температуре окружающей среды в режиме, обеспечивающем пиковую мощность рассеивания объекта контроля, при этом кратковременно подают одновременно на входные и питающие...

Номер патенту: 3489

Опубліковано: 27.12.1994

Автор: Ботвінік Михайло Овсійович

МПК: G01R 31/26, G11C 29/00

Мітки: шотткі, логіки, транзисторно-транзисторної, мікросхем, діодами, спосіб, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля микросхем транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки, включающий измерение статических параметров и проверку функционирования, отличающийся тем, что контролируют три дополнительных параметра каждого вентиля: максимальный ток нагрузки при открытом состоянии выхода при заданном уровне выходного напряжения, обеспечивающем максимальный ток базы выходного транзистора, ток утечки выхода при максимальном напряжении питания и...

Номер патенту: 3688

Опубліковано: 27.12.1994

Автор: Первих Валентин Львович

МПК: H01R 12/00

Мітки: мікросхем, пристрій, контактний

Формула / Реферат:

Контактное устройство для микросхем, содержащее полый изоляционный корпус с базирующими выступами, упругие контактные элементы с изогнутыми рабочими участками, расположенные в полости корпуса, и привод контактных элементов, отличающееся тем, что кромки рабочих участков контактных элементов выполнены заостренными, а базирующие выступы расположены с возможностью взаимодействия с крайними выводами микросхемы.

Номер патенту: 3749

Опубліковано: 27.12.1994

Автор: Ботвінік Михайло Овсійович

МПК: G01R 31/28

Мітки: контролю, пам'яті, інтегральних, мікросхем, спосіб

Формула / Реферат:

Способ контроля интегральных микросхем памяти, в соответствии с которым производят последовательную запись контрольного кода в объект контроля, выключают электропитание, а через время рассасывания избыточного заряда в дефектных ячейках памяти включают электропитание, считывают реакцию объекта контроля сравнивают импульсный код с эталонным значением, отличающийся тем, что перед началом контроля не менее двух раз включают электропитание,...

Номер патенту: 1056

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Усатенко Василь Григорович, Сазонов Сергій Миколайович, Сердюк Гай Борисович

Мітки: спосіб, потенційно, мікросхем, нестабільних, ненадійних, відбраковки, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Способ отбраковки потенциально ненадежных и нестабильных интегральных микросхем, заключающийся в том, что выбирают пары выводов контролируемых интегральных микросхем, между которыми содержатся р-n-переходы, подают на выбранные лары выводов линейно возрастающее ступенчатое напряжение и регистрируют на заданном участке вольт-амперной характеристики величину информативного параметра, по которому проводят отбраковку дефектных микросхем,...