Руденко Ольга Василівна
Еліпсометр
Номер патенту: 41610
Опубліковано: 25.05.2009
Автори: Руденко Ольга Василівна, Кепич Тіберій Юрійович, Макара Володимир Арсенійович, Одарич Володимир Андрійович, Преображенська Тамара Дмитрівна
МПК: G01J 4/00, G01N 21/21
Мітки: еліпсометр
Формула / Реферат:
1. Еліпсометр, який містить джерело світлового пучка, поляризатор, аналізатор і фотоприймальний пристрій, який відрізняється тим, що додатково містить поворотний пристрій, пристрій для повороту поляризатора навколо умовної лінії напрямку світлового пучка, пристрій для вимірювання азимуту поляризатора, пристрій для повороту аналізатора навколо умовної лінії напрямку світлового пучка та пристрій для вимірювання азимуту аналізатора, поворотний...
Спосіб обробки лужногалоїдних кристалів типу nacl
Номер патенту: 3055
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Весна Галина Володимирівна, Руденко Ольга Василівна, Макара Володимир Арсентійович
МПК: C30B 29/12, C30B 33/04, C30B 33/00 ...
Мітки: спосіб, кристалів, лужногалоїдних, обробки, типу
Формула / Реферат:
Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов типа NaCl, включающий нанесение на поверхность кристалла тонкой царапины, химическую полировку до получения единичных винтовых дислокационных петель диаметром воздействие на винтовые участки петель постоянным электрическим полем, разращивание винтовых дислокационных петель внешним механическим напряжением и повторную химическую...
Спосіб виготовлення багатошарової контактної металізації
Номер патенту: 2693
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Базарний Юрій Олексійович, Руденко Ольга Василівна, Болтовець Микола Силович, Макогон Юрій Миколайович, Кутас Віталій Георгійович, Сидоренко Сергій Іванович
МПК: H01L 21/28
Мітки: спосіб, контактної, виготовлення, металізації, багатошарової
Формула / Реферат:
Способ изготовления многослойной контактной металлизации, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя палладия и слоя золота, отличающийся тем, что, с целью повышения длинновременной стабильности параметров металлизации, между кремниевой подложкой и слоем палладия осаждают барьерный слой вольфрама с добавкой рения 15—27% толщиной 0,15— 0,5 мкм.