Макара Володимир Арсенійович
Спосіб іммобілізації клітин
Номер патенту: 120536
Опубліковано: 10.11.2017
Автори: Курилюк Алла Миколаївна, Кріт Олексій Миколайович, Кобзар Юлія Леонідівна, Макара Володимир Арсенійович, Ніжельська Олена Ігорівна, Стебленко Людмила Петрівна, Науменко Світлана Миколаївна
МПК: C12N 11/14, C12N 13/00
Мітки: спосіб, іммобілізації, клітин
Формула / Реферат:
1. Спосіб іммобілізації клітин, що включає приготування суспензії культури клітин, нанесення її на підкладинку та висушування на повітрі, який відрізняється тим, що для приготування суспензії використовують дистильовану воду, підкладинка виготовлена з монокристалічного полірованого кремнію, а висушування відбувається за дії магнітного поля з індукцією 0,15-0,20 Тл протягом 7-75 діб при температурі 285-296 K.2. Спосіб за п. 1, який...
Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів
Номер патенту: 106862
Опубліковано: 10.10.2014
Автори: Калініченко Дмитро Володимирович, Кобзар Юлія Леонідівна, Макара Володимир Арсенійович, Ященко Лариса Миколаївна, Подолян Артем Олександрович, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Курилюк Алла Миколаївна, Стебленко Людмила Петрівна
МПК: H01L 21/66, H01L 27/30, G01R 31/26 ...
Мітки: дії, елементів, корисної, коефіцієнта, сонячних, спосіб, підвищення
Формула / Реферат:
Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів, виготовлених на основі кристалів кремнію сонячної якості, що використовуються для потреб сонячної енергетики, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню кремнію сонячної якості наносять полімерну епоксіуретанову плівку товщиною 15-25 мкм, а потім витримують сформовані структури в стаціонарному магнітному полі з індукцією В = 0,15-0,19 Тл протягом 180-220 діб або в...
Пристрій для обробки суспензій клітин електромагнітним випромінюванням міліметрового діапазону довжин хвиль нетеплової потужності
Номер патенту: 102905
Опубліковано: 27.08.2013
Автори: Маринченко Лоліта Вікторівна, Ніжельська Олена Ігорівна, Якунов Андрій Васильович, Марінченко Віктор Опанасович, Макара Володимир Арсенійович
МПК: A61K 41/00, G01N 23/02, A61N 5/02 ...
Мітки: довжин, суспензій, випромінюванням, нетеплової, електромагнітним, обробки, міліметрового, клітин, діапазону, пристрій, хвиль, потужності
Формула / Реферат:
Пристрій для обробки суспензій клітин електромагнітним випромінюванням міліметрового діапазону довжин хвиль нетеплової потужності, що містить джерело електромагнітного випромінювання, антену та ємність, який відрізняється тим, що антена виконана як узгоджена конічна металева рупорна антена, а джерело електромагнітного випромінювання, додатково введений хвилевід та узгоджена конічна металева рупорна антена розміщені послідовно з можливістю...
Спосіб активації чистої культури засівних дріжджів saccharomyces cerevisiae
Номер патенту: 102480
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Марінченко Віктор Опанасович, Маринченко Лоліта Вікторівна, Якунов Андрій Васильович, Ніжельська Олена Ігорівна, Макара Володимир Арсенійович
МПК: C12N 1/18, C12N 13/00
Мітки: saccharomyces, cerevisiae, культури, чистої, дріжджів, спосіб, засівних, активації
Формула / Реферат:
Спосіб активації чистої культури засівних дріжджів Saccharomyces cerevisiae, що складається з приготування суспензії клітин в стерильній воді та обробки її електромагнітним випромінюванням міліметрового діапазону довжин хвиль нетеплової потужності, який відрізняється тим, що суспензію клітин дріжджів у стерильній воді готують в пропорції (1:8) - (1:12) в закритій ємності з пласким дном, охолоджують до температури +2 ÷ +6 °C, поки...
Спосіб активації чистої культури засівних дріжджів saccharomyces cerevisiae
Номер патенту: 75307
Опубліковано: 26.11.2012
Автори: Ніжельська Олена Ігорівна, Макара Володимир Арсенійович, Маринченко Лоліта Вікторівна, Якунов Андрій Васильович, Марінченко Віктор Опанасович
МПК: C12N 13/00
Мітки: засівних, культури, cerevisiae, чистої, saccharomyces, дріжджів, спосіб, активації
Формула / Реферат:
Спосіб активації чистої культури засівних дріжджів Saccharomyces cerevisiae, що включає приготування суспензії клітин в стерильній воді та обробку її електромагнітним випромінюванням міліметрового діапазону довжин хвиль нетеплової потужності, який відрізняється тим, що суспензію клітин дріжджів у стерильній воді готують в пропорції (1:8) - (1:12) в закритій ємності з пласким дном, охолоджують до температури +2 …+6 °C, поки клітини...
Пристрій для обробки суспензій клітин електромагнітним випромінюванням міліметрового діапазону довжин хвиль нетеплової потужності
Номер патенту: 70893
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Макара Володимир Арсенійович, Якунов Андрій Васильович, Марінченко Віктор Опанасович, Маринченко Лоліта Вікторівна, Ніжельська Олена Ігорівна
МПК: A61N 5/02, A61K 41/00
Мітки: електромагнітним, випромінюванням, пристрій, міліметрового, клітин, діапазону, обробки, хвиль, довжин, нетеплової, потужності, суспензій
Формула / Реферат:
Пристрій для обробки суспензій клітин електромагнітним випромінюванням міліметрового діапазону довжин хвиль нетеплової потужності, що складається з джерела випромінювання, антени та ємності, який відрізняється тим, що випромінювання від джерела через хвилевід та узгоджену конічну металеву рупорну антену спрямовано подається на суспензію клітин у закритій прозорій ємності з пласким дном, яка симетрично розташована в середині рупорної антени, а...
Спосіб виготовлення радіаційностійких композитних матеріалів на основі карбідів і боридів за допомогою нвч обробки
Номер патенту: 67488
Опубліковано: 27.02.2012
Автори: Макара Володимир Арсенійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Тоцький Ігор Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович
МПК: C04B 35/58, B22F 3/10, C04B 35/56 ...
Мітки: допомогою, спосіб, основі, матеріалів, нвч, карбідів, виготовлення, боридів, радіаційностійких, обробки, композитних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення радіаційностійких композитних матеріалів на основі карбідів і боридів за допомогою НВЧ обробки, що включає змішування порошків з карбідів і боридів, засипання їх в форму і спікання шляхом термічного відпалу при температурі 1000-2000 °С протягом 0,5-15 хв, який відрізняється тим, що після швидкого термічного відпалу матеріал опромінюють хвилями НВЧ протягом 1 с - 10 хв, потужністю 0,2-15 Вт/см2 з частотою 1,5-15 ГГц при...
Спосіб отримання сплаву на основі гафнію
Номер патенту: 56006
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Кепич Тіберій Юрійович, Макара Володимир Арсенійович, Чорнобук Сергій Володимирович
МПК: C22C 1/00
Мітки: спосіб, гафнію, отримання, сплаву, основі
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання сплаву на основі гафнію шляхом плавлення вихідних компонентів гафнію та бору в інертному середовищі або у вакуумі, до одержання матеріалу евтектичного типу, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти беруть компонент шихти гафнію та дибориду гафнію, частинки якого дисперсністю 5-10 мкм попередньо спікають при температурі 1400-2000градусів по Цельсію і тиску 20-50 МПа з наступним подрібненням до 0,5-2 мм, при цьому...
Еліпсометр
Номер патенту: 41610
Опубліковано: 25.05.2009
Автори: Макара Володимир Арсенійович, Кепич Тіберій Юрійович, Руденко Ольга Василівна, Одарич Володимир Андрійович, Преображенська Тамара Дмитрівна
МПК: G01J 4/00, G01N 21/21
Мітки: еліпсометр
Формула / Реферат:
1. Еліпсометр, який містить джерело світлового пучка, поляризатор, аналізатор і фотоприймальний пристрій, який відрізняється тим, що додатково містить поворотний пристрій, пристрій для повороту поляризатора навколо умовної лінії напрямку світлового пучка, пристрій для вимірювання азимуту поляризатора, пристрій для повороту аналізатора навколо умовної лінії напрямку світлового пучка та пристрій для вимірювання азимуту аналізатора, поворотний...
Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів
Номер патенту: 77223
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Новиков Микола Миколайович, Макара Володимир Арсенійович, Теселько Петро Олексійович
МПК: G01N 23/20
Мітки: інтегральної, кристалів, оцінки, досконалості, структурної, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів, що включає реєстрацію рентгенівської двокристальної дифрактограми, який відрізняється тим, що від поверхні досліджуваного кристала записують криву коливання в геометрії Брегга, реєструють максимальне значення її інтенсивності та її ширину поблизу підніжжя на рівні