Пристрій для іонно-плазмового травлення матеріалів

Устройство для ионно-плазменного травления материалов, содержащее вакуумную камеру, у торцов которой по оси камеры размещены плоские электроды, на одном из которых размещено обрабатываемое изделие, электроды подключены к источникам высокочастотного напряжения и разделены заземленным сетчатым экраном, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что оно снабжено электромагнитной катушкой, расположенной соосно с камерой со стороны электрода, противолежащего обрабатываемому изделию. Изобретение относится к области электронной технике и может быть использовано для прецизионного плазмохимического травления и осаждения материалов микроэлектроники, очистки поверхности изделий перед вакуумной металлизацией. Задачей изобретения является повышение скорости травления путем обеспечения замагниченности электронной компоненты, обуславливающей возрастание плотности плазмы, снижение падения напряжения на разряде и повышение скорости диссоциации рабочего газа. Поставленная задача решается тем, что устройство для ионно-плазменного травления материалов, содержит вакуумную камеру, у торцов которой по оси камеры размещены плоские электроды, на одном из которых размещено обрабатываемое изделие, электроды подключены к источникам высокочастотного напряжения и разделены заземленным сетчатым экраном, согласно изобретению, устройство снабжено электромагнитной катушкой, расположенной соосно с камерой со стороны электрода, противолежащего обрабатываемому изделию. Устройство для ионно-плазменного травления материалов содержит вакуумную камеру 1, у торцов которой соосно размещены плоские электроды 2, 3, подключенные к источникам высокочастотного (ВЧ) напряжения. Плоские электроды 2, 3 разделены заземленным сетчатым экраном 4. На электроде 3 размещено обрабатываемое изделие 5. Со стороны электрода 2, противолежащего обрабатываемому изделию 5, соосно с камерой 1 расположена электромагнитная катушка 6. Устройство для ионно-плазменного травления работает следующим образом. о to О 6722 Откачивают вакуумную камеру 1 до давления на 2-3 порядка ниже рабочего. Напускают в нее рабочую смесь газов или паров. Включают источник питания электромагнитной катушки 6. Включают источник ВЧ напряжения, соединенный с электродом 2, противостоящим обрабатываемому изделию 5. Между сетчатым экраном 4 и электродом 2 возбуждается ВЧ разряд в скрещенных переменном электрическом и постоянном магнитном полях, который является источником химически активных радикалов, распространяющихся через сетчатый экран 4 в область пространства к электроду 3 с обрабатываемым изделием 5. Затем включают источник ВЧ напряжения, соединенный с электродом 3. В области пространства у обрабатываемого изделия 5 возбуждается ВЧ разряд - источник ионов, ускоряющихся электрическим полем слоя объемного заряда у электрода 3 и бомбарди рующих изделие 5. Регулируя ВЧ мощность в разряде между электродом 2 и сетчатым экраном 4 и ток электромагнитной катушки 6, а также ВЧ мощность в разряде между 5 электродом 3 и сетчатым экраном 4, устанавливают требуемую скорость ионно-плазменного травления. Частота ВЧ напряжения, подаваемого на электроды 2, 3, может быть одинаковой, равной, например, 13,56 мГц. 10 Для дополнительного увеличения скорости травления на электро- 3 может быть подано напряжение с частотой в диапазоне 0,1-0,5 мГц. 15 По сравнению с известными техническими решениями устройство для ионноплазменного травления позволяет примерно в 2 раза повысить скорость травления из-за более высокой плотности потока 20 химически активных радикалов, поступающих на обрабатываемое изделие. О О Z л 1 6722 Упорядник Замовлення 641 Техред М.Моргентал Коректор М.Куль Тираж Підписне Державне патентне відомство України, 254655. ГСП. КиТв-53, Львівська пл.. в Виробничо-видавничий комбінат "Патент", м. Ужгород, вул.ГагарІна, 101