Воронін Валєрій Олександрович
Спосіб одержання структур арсеніду галію для інтегральних схем на основі польових транзисторів шотткі
Номер патенту: 18621
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Губа Сергій Констянтинович, Плахотка Лариса Степанівна, Воронін Валєрій Олександрович
МПК: H01L 21/18
Мітки: одержання, структур, інтегральних, арсеніду, шотткі, основі, транзисторів, схем, польових, спосіб, галію
Формула / Реферат:
Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя -типа проводимости и контактного слоя -типа проводимости,...