Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту
Номер патенту: 22256
Опубліковано: 25.04.2007
Формула / Реферат
Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6мм рт.ст.), розміщені на п’єдесталах, які встановлені на внутрішній стороні касет, встановлених всередині синтезатора паралельно до його стінок, причому касети розміщені на тримачах, встановлених перпендикулярно до стінки синтезатора на внутрішній її стороні.
Текст
Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор 3 22256 - 1, розплав кремнію - 2, синтезатор - 3, тримач касет - 4, касета - 5, п'єдестал - 6, зародок - 7, кришка - 8, отвір у кришці - 9. Пристрій працює таким чином: Вирощування монокристалів карбіду кремнію, включає сублімацію карбіду кремнію із парів карбіду кремнію, для чого посудину-синтезатор (3), всередині якої випаровується карбід кремнію, поміщають у вакуумній камері, нагрівання посудинисинтезатора в вакуумі, а в нижній частині посудини розміщують тигель (1) з розплавом кремнію (2), який нагрівають до температури випаровування кремнію. Синтезатор (3) виготовлений із графіту високої чистоти, зверху закривається щільно кришкою (9), так, щоб вихід парів кремнію або карбіду кремнію із посудини синтезатора був мінімальним. Комп’ютерна в ерстка C.Литв иненко 4 Температура синтезатора не перевищує 2000°С, а всередині синтезатора витримується співвідношення Тс>Ткр>Твк, де Тс - температура на стінках синтезатора, Ткр - температура кристалізації, Твк температура випаровування кремнію. Вакуум в процесі роботи підтримується в межах 10-4-10-6мм рт.ст. Синтезатор (3) і тигель (1) з розплавом кремнію (2) в процесі росту кристалів обертають довкола осі для забезпечення рівномірного нагрівання по всій окружності синтезатора (3). З метою вирощування кристалів алманіта без фона, а також для простого і легкого виймання кристалів із касет (5) достатньо повернути касети (5) навколо основи на 180° так, щоб зародки (7) дивились у центр синтезатора (Фіг.1). Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюDevice for silicon carbide monocrystal almanite growing
Автори англійськоюSerheev Oleh Tymofiiovych, Masol Ihor Vitalievych
Назва патенту російськоюУстройство для выращивания монокристаллов карбида кремния алманита
Автори російськоюСергеев Олег Тимофеевич, Масол Игорь Витальевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 35/00, C30B 23/02
Мітки: карбіду, кремнію, вирощування, монокристалів, пристрій, алманіту
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-22256-pristrijj-dlya-viroshhuvannya-monokristaliv-karbidu-kremniyu-almanitu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту</a>
Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту
Номер патенту: 22255
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович
МПК: C30B 23/02, C30B 35/00
Мітки: алманіту, монокристалів, кремнію, спосіб, карбіду, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію, що включає вирощування монокристалів карбіду кремнію із кремнію і вуглецю, який відрізняється тим, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1х1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка синтезатора,...
Монокристали карбіду кремнію алманіт, спосіб їх вирощування та пристрій для здійснення способу
Номер патенту: 66318
Опубліковано: 15.04.2004
Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Гребенюк Богдан Олегович
МПК: C30B 23/02, C30B 35/00
Мітки: способу, алманіт, здійснення, монокристали, карбіду, вирощування, кремнію, пристрій, спосіб
Формула / Реферат:
1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...
Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію
Номер патенту: 19072
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович
МПК: C30B 23/02, C30B 35/00
Мітки: полікристалічного, кремнію, вирощування, спосіб, карбіду
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...
Монокристали карбіду кремнію алманіт, спосіб їх вирощування і пристрій для здійснення способу
Номер патенту: 64035
Опубліковано: 16.02.2004
Автори: Ігнатенко Степан Денисович, Сергеєв Олег Тимофійович
МПК: C30B 23/02, C30B 35/00
Мітки: здійснення, спосіб, пристрій, вирощування, алманіт, способу, карбіду, монокристали, кремнію
Формула / Реферат:
1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...
Пристрій для вирощування монокристалів кремнію, екрануючий пристрій для нього і спосіб вирощування монокристалів кремнію за методом чохральського
Номер патенту: 72795
Опубліковано: 15.04.2005
Автори: Повстяний Володимир Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович
МПК: C30B 15/02, C30B 35/00
Мітки: методом, кремнію, вирощування, монокристалів, пристрій, екрануючий, нього, чохральського, спосіб
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...
Попередній патент: Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту
Наступний патент: Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію
Випадковий патент: Прес-форма для виготовлення виробів з гуми