Товстоплівковий резистивний елемент
Номер патенту: 16916
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Тельніков Євгеній Якович, Максимов Володимир Миколайович, Шибаєв Володимир Олександрович
Формула / Реферат
Товстоплівковий резистивний елемент, що містить металеву підкладку з послідовно розміщеними на ній ізоляційним шаром , в якості якого використана паста на основі скла, що кристалізується і не містить лугу, резистивним шаром, в якості якого використана паста для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу та склозв'язку, та захисний шар, в якості якого використана паста на основі скла, що кристалізується і не містить лугу, та керамічного наповнювача, який відрізняється тим, що провідна фаза пасти для товстоплівкових резисторів містить бориди та оксиди металів, а пасти для ізоляційного та захисного шарів додатково містять кварцовий пісок.
Текст
Товстоплівковий резистивний елемент, що містить металеву підкладку з послідовно розміщеними на ній ізоляційним шаром, за який викорис 3 16916 4 захисного шарів були використані пасти фірми ним сушінням в сушильній шафі при температурі "Квірін" ["Пасти для товстоплівкових нагрівальних до 280°С, після чого проводили спільне вжигання в елементів", ТУ У24.6-14307699-001-2003]. конвеєрній печі при температурі 800-850°С протяНа підготовлену підкладку наносили ізоляційну гом 25-30хв., термін перебування при максимальпасту відомим методом трафаретного друку. Пасній температурі 3-5 хвилин. ту сушили в сушильній шафі при температурі 130Захисну пасту наносили одним шаром товщи160°С протягом 10-15хв. Після сушки пасту вжиганою 30-70мкм, сушили в сушильній шафі при темли в конвеєрній печі при температурі 800-820°С. пературі 130-160°С протягом 10-15хв., та вжигали Термін циклу вжигання становив 40-50хв., термін в конвеєрній печі на повітрі при температурі 800находження при максимальній температурі стано850°С протягом 25-35 хвилин. Термін перебування вив 5-10хв. Для забезпечення надійної ізоляції при максимальній температурі 3-5 хвилин. пасту наносили в 3-4 шари до товщини 200В таблиці 1 приведені значення питомого опо250мкм. Після завершення формування ізоляційру ізоляційного та захисного шарів, а в таблиці 2 ного шару по заданій технології наносили пасту приведені значення питомого поверхневого опору для резистивного шару товщиною 30-70мкм. Для резистивного шару зразків товстоплівкових елезабезпечення заданої товщини пасту наносили за ментів виготовлених з використанням розроблеодин або два цикли трафаретного друку з проміжних на підприємстві "Квірін" паст. Таблиця 1 Питомий опір ізоляційного та захисного шарів зразків товстоплівкових елементів. № п/п 1 Ізоляційний шар Марка пасти Питомий опір МОм ПД-2 120 Марка пасти ПД-3 Захисний шар Питомий опір МОм 100 Таблиця 2 Питомий поверхневий опір резистивного шару зразків товстоплівкових резистивних елементів. №п/п 1 2 3 4 Марка пасти ПРН-1,0 ПРН-50 ПРН-500 ПРН-1000 Резистивний шар Питомий поверНабір боридів метаНабір оксидів металів Скло-зв'язка лів хнев. опір Ом/ LаВ6NіВ АІ2O3-SіO2 1,0 ВаВ6СгВ2 SiO2-Сr2O3 50,0 Ситалоцемент СЦ22 СаВ6ВаВ6 АІ2O3-ТiO2 500,0 СаВ6ТіВ2 АІ2O3-ТІO2 1000,0 Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюThick-film resistive element
Автори англійськоюMaksymov Volodymyr Mykolaiovych, Schybaiev Volodymyr Oleksandrovych, Telnikov Yevhenii Yakovych
Назва патенту російськоюТолстопленочный резистивный элемент
Автори російськоюМаксимов Владимир Николаевич, Шибаев Владимир Александрович, Тельников Евгений Яковлевич
МПК / Мітки
МПК: H01C 7/18
Мітки: товстоплівковий, елемент, резистивний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-16916-tovstoplivkovijj-rezistivnijj-element.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Товстоплівковий резистивний елемент</a>
Попередній патент: Пересувний рекламний пристрій
Наступний патент: Спосіб культивування клітин кордової крові
Випадковий патент: Обладнання для друкувального пристрою