Матеріал для товстоплівкових резисторів
Номер патенту: 16229
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Тельніков Євгеній Якович, Максимов Володимир Миколайович, Шибаєв Володимир Олександрович
Формула / Реферат
1. Матеріал для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу і склозв'язуюче, який відрізняється тим, що провідна фаза містить бориди металів, наприклад: ТіВ2, CrB2, NiB, Ni2B, Ni3B, Ni3B-Ni, ВаВ6, СаВ6, і т.ін., а склозв'язуючим є скло, що кристалізується.
2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що провідна фаза містить ТіВ2 та/або CrB2, та/або NiB, та/або N2B, та/або Ni3В, та/або Ni3В-Ni, та/або ВаВ6, та/або СаВ6 і т.ін.
3. Матеріал за пп. 1 та 2, який відрізняється тим, що як скло, що кристалізується, беруть сіталоцемент марки СЦ-22.
4. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що до провідної фази та склозв'язуючого додають легуючі домішки, за які беруть оксиди металів, наприклад: Аl2О3, SiO2, Сr2О3, МnO2, ТiO2, ZnO і т.ін.
5. Матеріал за пп. 1 та 4, який відрізняється тим, що до провідної фази та склозв'язуючого додають Аl2O3 та/або SiO2, та/або СrО3, та/або МnO2, та/або ТіO2, та/або ZnO і т.ін.
6. Матеріал за пп. 1 та 4, який відрізняється тим, що провідна фаза, склозв'язуюче та легуючі домішки знаходяться в співвідношенні, мас. %:
провідна фаза
77,0 – 29,0
склозв'язуюче
3,0-70,0
легуючі домішки
20,0- 1,0.
Текст
1. Матеріал для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу і склозв'язуюче, який відрізняється тим, що провідна фаза містить бориди металів, наприклад: ТіВ2, CrB2, NiB, Ni2B, Ni3B, Ni3B-Ni, ВаВ6, СаВ6, і т.ін., а склозв'язуючим є скло, що кристалізується. 2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що провідна фаза містить ТіВ2 та/або CrB2, та/або NiB, та/або N2B, та/або Ni3В, та/або Ni3В-Ni, та/або ВаВ6, та/або СаВ6 і т.ін. 3 16229 4 та/або ТіO2, та/або ZnO і т. ін. Провідну фазу, пропилового спирту до розмірів 1х10мкм. склозв'язуюче та легіруючі домішки беруть у спів2. Очищені спиртом злитки боридів та оксидів відношенні мас. %: металів (кожний елемент окремо) подрібнювали в провідна фаза - 77,0-29,0 млинку-ступці, потім у плині 3 годин продовжували склозв'язуюче - 3,0-70,0 процес здрібнювання в млині САНД-1. легіруючі домішки -20.0-1,0 3. Визначені частини порошку компонентів у Запропонований матеріал відрізняється від розрахованій кількості змішували з додаванням прототипу використанням нових компонентів у органічної зв'язки. Пасту готували на пастотерці. нових співвідношеннях. Отриману пасту наносили на підкладки відоВикористання вищезазначеного складу матемим методом трафаретного друку через металеву ріалу, дозволяє виготовляти товстоплівкові резисабо капронову сітку, розмір комірки якої становить тори на підкладках з різною термостійкістю з пито40-56мкм. Після підсушування при температурах мим поверхневим опором в інтервалі 0,05до 280 С проводили термообробку при темпера1000Oм/ для виготовлення електронагрівачів з турах 800-850 С в конвеєрній печі. Поверхневий робочою температурою до 600 С та інших устроїв опір вимірювали за допомогою цифрового омметспеціального та побутового призначення. ра. Приклад реалізації корисної моделі. В таблиці 1 приведені значення питомого поМатеріал (пасту) для виготовлення товстопліверхневого опору зразків виготовлених на різних вкових резисторів готували наступним чином: підкладках з використанням розроблених на підп1. Скло подрібнювали в дробарці КІД-60 до рориємстві "Квірін" паст з різним співвідношенням змірів 0,5-1,0мм, а потім в планетарному млині компонентів. САНД-1 для тонкого помелення в середовищі ізоТаблиця 1 Питомий поверхневий опір зразків, виготовлених із пасти з різним співвідношенням компонентів. Провідна фаза № п/п 1 2 3 4 Марка пасти ПРН-1,0 ПРН-50 ПРН-500 ПРН-1000 Легіруючі домішки Набір боридів метаНабір оксидів ме- Мас Мас % лів талів % ВаВ6, NiB ВаВ6, СrВ2 СаВ6, ВаВ6 СаВ6, ТiВ2 60 55 52 50 АІ2O3, SiO2 SiO2, Сr2O3 АІ2O3, ТiO2 АІ2O3, ТiO2 5 7 8 9 СиталоПитомий поверцемент СЦневий опір Oм/ 22 мас % 35 38 40 41 1,0 ** 50,0 ** 500,0 * 1000,0 * Примітка: матеріал підкладки - * - кераміка - ** - металева з діелектричним покриття Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMaterial for thick-film resistors
Автори англійськоюMaksymov Volodymyr Mykolaiovych, Schybaiev Volodymyr Oleksandrovych
Назва патенту російськоюМатериал для толстопленочных резисторов
Автори російськоюМаксимов Владимир Николаевич, Шибаев Владимир Александрович
МПК / Мітки
Мітки: товстоплівкових, матеріал, резисторів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-16229-material-dlya-tovstoplivkovikh-rezistoriv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Матеріал для товстоплівкових резисторів</a>
Попередній патент: Індивідуальний пояс для лікування переломів кісток таза
Наступний патент: Спосіб лікування ішемічного інсульту у хворих на цукровий діабет
Випадковий патент: Консольний відцентровий компресор