Напівпровідниковий фотоприймач

Напівпровідниковий фотоприймач, що містить випрямні контакти, який відрізняється тим, що на освітлюваній стороні розташовано чотири напів 3 34141 зькополосний селективних підсилювачів, налаштованих на частоту 4. Посилений електричний сигнал приводить в дію один з чотирьох механізмів повороту об'єкту за допомогою крила або пристрою бічної реактивної тяги. Далі промінь світла може змінно потрапляти на інші електроди 3. Кожен ланцюжок управління забезпечує зсув об'єкту у бік променя світла до моменту його збігу з центром фотоприймача, розташованим між чотирма електродами 3. У цей момент фотонапруги всіма електродами 3 не виробляються, управління приводами поворотів припиняється і об'єкт слідує строго по керівникові променю світла. Для виключення втрати сигналу, що управляє, у випадку, знаходження світлової плями в зазорі між двома електродами S необхідно, щоб ширина зазору б була рівна діаметру світивши d. Для виключення появи фотосигналу, що управляє, при русі об'єкту строго по напряму променя необхідно, щоб електроди 3 в центрі фотоприймача були рівновіддалені один від одного на відстань D, рівне d+2L, де L - дифузійна довжина неосновних нерівноважних носіїв заряду поблизу освітлюваної поверхні напівпровідника. Підвищення надійності системи навігації на базі корисної моделі досягається завдяки відсутності зниження чутливості Комп’ютерна в ерстка М. Ломалова 4 фотоприймача при попаданні променя світла в будь-яку точку електродів 3. Експериментальний зразок фотоприймача виготовляли на базі монокристала кремнію п-типу з концентрацією дрібних донорних центрів 8*1015см-3. Напівпрозорі електроди із золота мали товщину 107 ангстремів. Фоточутливість фотоприймача близько відповідала теоретичній величині в спектральному діапазоні І - 6эВ. При енергії фотона hw=2эB афектний квантовий вихід склав 0,5 електрона/фотон. Економічний ефект від використання напівпровідникового фотоприймача в системі навігації обумовлений зниженням кількості джерел випромінювання до одного, що знижує вартість системи. Технологія напівпровідникового фотоприймача не відрізняється від технології звичайних фотодіодів на бар'єрах Шоттки. Він може виготовлятися на будь-якому підприємстві електронної техніки. Література 1. М.В. Дмитриев і ін. Фоточутливий прилад. Авторське свідоцтво СРСР №578801,07.06.1977. 2. И.Д. Анисимова, И.М. Вікулін і ін. Напівпровідникові фотоприймачі: ультрафіолетовий, видимий і ближній інфрачервоний діапазони спектру, під ред. В.И. Стафєєва, - М.: Радіо і зв'язок, - 1984. - 3.75-76. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601