Напівпровідниковий термостатований фотоприймач

Напівпровідниковий термостатований фотоприймач, який містить фотоприймач, приєднаний 3 3324 4 Зібраний на цоколі прилад герметизується склявиготовлені з твердого розчина Bi-Te-Se-Sb, змонною кришкою 11. товані на електрокомутаційних стежинках 5 комуЗапропонований напівпровідниковий термотаційної пластини 6 та за допомогою припою ПОС статований фотоприймач працює наступним 61 приєднані до електрокомутаційних стежинок чином холодного боку модуля. Комутаційна пластина 6, Фотоприймач при зміщенні на p-n переході повиготовлена з кераміки 22ХС, приєднана до цоконад 100В розігрівається, що негативно відбиваєтьля прибору 7, який є тепловідводом. Уся конструкся на його порогових характеристиках. При вклюція герметизується кришкою з вхідним скляним ченні термоелектричного модуля через його гілки вікном 11. протікає електричний струм, що спричиняє зниКрім вище зазначених переваг у порівнянні з ження температури холодного боку модуля. При відомими конструкціями, запропонований напівцьому знижується температура фотоприймача, провідниковий термостабілізований фотоприймач який розташовано на цьому боці модуля. Завдяки дозволяє керувати часом виходу на режим охоломалій товщині діелектричного шару на зворотному дження термоелектричного модуля. Цей час, окрім боці фотоприймача зміна температури на ньому інших причин, залежить від товщини комутаційного відбувається швидко, практично одночасно з охошару, який в даному випадку виконується у виглялодженням холодних спаїв модуля. Таким чином ді шару діелектрика на зворотному боці фотоспрощення конструкції приладу та зменшення часу приймача. Товщина шар у діелектрика може регуйого виходу на робочу температур у о холодження люватись часом його осадження і таким чином, досягається за рахунок того, що передача тепла у певних межах, можливо створення приладів від фотоприймача до термоелектричного модуля із заданим часом виходу на робочий режим здійснюється безпосередньо, без втрат на додатохолодження. кових елементах. Література: Приклад виконання напівпровідникового тер1. Коленко Е.А. Термоэлектрические охлажмостатованого фотоприймача дающие приборы. - Л.: Наука. - 1967. - 283с. В якості фотоприймача 1 використано кремні2. Осипов Э.В., Борисенко В.Д. Твердотельєвий p-i-n фотодіод, товщина кремнієвої підкладки ные криогенные охладители // Зарубежная электякого складає 500мкм. Робочий режим фотодіода ронная техника. - 1975. - Вып.7. - С.3-80. здійснюється при зміщенні на р-n переході не ме3. Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэленше 130В. На зворотному боці фотодіода нанесектрические устройства: Справочник. - К.: Наук. но шар окису кремнію товщиною 1-3мкм 2, до якоДумка. - 1979. – С.440-442. го методами вакуумного напилення та 4. Вайнер А.Л., Моисеев В.Ф. Совмещенные фотолітографії формуються електрокомутаційні приборы криотермоэлектрической электроники. мідні стежинки 3 з антидифузійними шарами Одесса.: Студия «Негоциант». - 2000. - с.10. з нікелю. Гілки термоелектричного модуля 4, Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601