Мінгальов Володимир Олександрович

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: одноперехідний, тензотранзистор

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.

Номер патенту: 14490

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Прохоров Георгій Валерійович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01L 9/04

Мітки: тиску, датчик

Формула / Реферат:

Датчик тиску, що являє собою мембрану з напівпровідника першого типу провідності, в якій утворений вимірювальний міст з чотирьох тензорезисторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що з метою збільшення тензочутливості в поверхню кожного тензорезистора вбудована додаткова область першого типу провідності.

Номер патенту: 69919

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Курмашов Шаміль Джемашевич, Сидорець Ростислав Григорович, Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що виконаний у вигляді напівпровідникової пластини довжиною порядку довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду з р-n переходом на одному кінці та омічним контактом на другому, який відрізняється тим, що на більш широкій стороні пластини розміщений металевий електрод, відділений від пластини діелектриком, причому товщина вузької сторони пластини повинна бути рівна товщині області об'ємного заряду напроти електрода.